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ge atomsとは 意味・読み方・使い方
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「ge atoms」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
When H atoms are attached to Ge atoms on the outermost surface, the phenomenon occurs, in which the Ge atoms are interchanged with Si atoms present in the underlying layer, so that a higher proportion of Ge atoms are interchanged with Si atoms than in the conventional production methods, which does not involve the exposure to the atomic hydrogen.例文帳に追加
最表面のGe原子にH原子が付着すると、そのGe原子と、その下層に存在するSi原子とが入れ替わる現象がおこるので、原子状水素を暴露しない従来の製造方法よりも、より多くの割合のGe原子がSi原子と入れ替わることになる。 - 特許庁
As a result, the ratio of Ge atoms to all atoms on the outermost surface, where growth is proceeding, can be reduced and C atoms having low affinity with Ge atoms is rendered more likely to occupy lattice positions in the crystal.例文帳に追加
その結果、結晶が成長している最表面においてGe原子の占める割合を少なくすることができ、Ge原子と相性の悪いC原子が、結晶の格子位置に入りやすくなる。 - 特許庁
By exposing the surface of the substrate to atomic hydrogen, the ratio of Ge atoms attached to H atoms to all Ge atoms present on the outermost surface, where growth is proceeding, is increased compared with that prior to exposure to the atomic hydrogen.例文帳に追加
原子状水素を基板上に暴露することにより、成長が起こっている最表面に存在するGe原子のうちH原子が付着しているGe原子の割合は、原子状水素暴露前よりも増加する。 - 特許庁
In the laminate structure, by the phase separation depending on the film containing Sb atoms and the film containing Ge atoms, the recording and the deleting of the data can be performed efficiently.例文帳に追加
上記積層構造では、Sb原子を含む膜とGe原子を含む膜とによる相分離によって、データの記録及び消去を効率よく行うことができる。 - 特許庁
To provide a novel field effect transistor, regarding a field effect transistor of a multigate structure having a channel region containing Ge atoms.例文帳に追加
Ge原子を含有するチャネル領域を具備するようなマルチゲート構造の電界効果トランジスタに関して、新規な電界効果トランジスタを提案すること。 - 特許庁
The solid memory has recording layers including a laminate structure of which the electric characteristics varies according to phase separation, wherein the laminate structure constitutes a superlattice structure composed of a film containing Sb atoms and a film containing Ge atoms.例文帳に追加
本発明の固体メモリは、相分離により電気特性が変化する積層構造を含む記録層を備えており、上記積層構造は、Sb原子を含む膜とGe原子を含む膜とから成る、超格子構造を構成している。 - 特許庁
The resin contains at least one kind selected from resins, organic compounds and organic-inorganic compounds containing the atoms of one or more kinds of elements selected from Si, B, Ti, F, Ge and Se.例文帳に追加
樹脂中には、Si、B、Ti、F、Ge、Seの1種又は2種以上の原子を含有する樹脂、有機化合物、有機・無機複合物を少なくとも1種類含む。 - 特許庁
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「ge atoms」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
The resistor element is formed of a polycystalline SiGe thin film in which the content of Ge atoms is 20-50% and an impurity is doped so that resistivity is 3×10^-2 to 3×10^-1Ωcm.例文帳に追加
抵抗素子をGe原子の含有量が20〜50%で、かつ抵抗率が3×10^−2〜3×10^−1Ω・cmになるように不純物が導入されている多結晶SiGe薄膜により形成する。 - 特許庁
A first layer 16 is formed by segregating specific atoms with high concentration on the junction interface of the NiGe layer 15 and the Ge substrate 2, and a second layer 17 is formed by segregating the same atoms as those of the first layer 16 with high concentration on the interface of the gate electrode 13 and a gate insulating film 12.例文帳に追加
NiGe層15とGe基板2との接合界面には、所定の原子が高濃度に偏析して形成されてなる第1の層16が形成され、ゲート電極13とゲート絶縁膜12との界面には、第1の層16と同じ原子が高濃度に偏析して形成されてなる第2の層17が形成されている。 - 特許庁
The memory comprises a single crystal Ge substrate 11 whose main surface is a (001) crystal face, memory cells 12 arranged in a matrix on the main surface, memory boundary lines 13 partioning the memory cells 12, and a dimer 15 constituted of four dimers 15 formed of Ge atoms 14 on the uppermost of the crystal face and arranged in 2 lines 2 rows.例文帳に追加
主面を(001)結晶面とする単結晶Ge基板11と、主面上にマトリックス状に配列されたメモリセル12と、メモリセル12同士を区切るメモリ境界線13などから構成し、メモリセル12は、結晶面の最表面にあるGe原子14が形成するダイマー15が2行2列に並んだ4つのダイマー15から構成されている。 - 特許庁
It is preferable to have aspects that the catalyst contains further a cesium (Cs)-containing catalyst, the reaction is a homo-coupling reaction, the atom in the alkene compound is any of Si, S, Se, O, Ge, Sn, Pb and B atoms and two of the alkene compounds are the same as each other.例文帳に追加
触媒が更にセシウム(Cs)含有触媒を含む態様、反応がホモカップリング反応である態様、アルケン化合物における原子が、Si原子、S原子、Se原子、O原子、Ge原子、Sn原子、Pb原子及びB原子のいずれかである態様、アルケン化合物の2つが互いに同じである態様、などが好ましい。 - 特許庁
A photoconductive layer constituting a radiation imaging panel for recording radiation image information as an electrostatic latent image is a polycrystal composed of Bi_xMO_y (M is at least one kind of Ge, Si and Ti) wherein x satisfies following relation 11.1≤x≤11.95, and y is a stoichiometric number of oxygen atoms dependent on M and x.例文帳に追加
放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、Bi_xMO_y(ただし、MはGe,Si,Ti中の少なくとも1種である。)からなる多結晶体であって、Bi_xMO_yのxを11.1≦x≦11.95、yをMおよびxにより決まる化学量論的な酸素原子数とする。 - 特許庁
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