gap equationとは 意味・読み方・使い方

The bearing axial clearance gap (pre-load amount) δ2 in a final assembly after caulking is found according to an equation δ2=δ1+(T1-T2).例文帳に追加

かしめ後の最終組立品における軸受アキシャルすきま（予圧量）δ_2 は式δ_2 ＝δ_1 ＋(T_1 −T_2) で求められる。 - 特許庁

A relationship between a minimum air-gap length d1 and a maximum air-gap length d2 between both the ends in the rotative direction of the salient pole teeth 26 satisfies an equation of d1:d2=1:2 to 1:3.例文帳に追加

突極歯２６の回転方向両端部間における最小の空隙長ｄ１と最大の空隙長ｄ２との関係は、ｄ１:ｄ２＝１：２から１：３とする。 - 特許庁

Nextly, when initial conditions and an equation necessary for analysis are thereinto input, the equation is solved by an analysis processor 112 to find electric potential distribution on the gap shape and concentration distribution of ferric ions with iron that forms the flange liquated thereinto.例文帳に追加

次に、解析に必要な初期条件や方程式の入力が行われると、解析処理部１１２によりその方程式を解き、すき間形状の電位分布や、フランジを構成する鉄が溶出した鉄イオンの濃度分布を求める。 - 特許庁

As the wavelength of the laser beam 2, a larger value than a wavelength λ calculated from the equation is adopted; λ=h×c/Eg (h: Planck constant; C: light velocity; Eg: band gap).例文帳に追加

レーザー光２の波長には、λ＝ｈ・ｃ／Ｅｇ（ｈ：プランク定数、ｃ：光の速さ、Ｅｇ：バンドギャップ）で算出される波長λよりも大きい値が採用される。 - 特許庁

For the structure, an equation λLD+0.4 (nm/°C)×ΔT≤λDET≤lLD+0.6 (nm/°C)×ΔT is established, where active layer band gap wavelength is λLD, light-receiving layer band gap wavelength is λDET, and the ambient temperature change width is ΔT.例文帳に追加

この構造において、活性層バンドギャップ波長をλ_LD、受光層バンドギャップ波長をλ_DET 、周囲温度変化幅をΔＴとすると「λ_LD＋０．４（ｎｍ／℃）×ΔＴ≦λ_DET ≦λ_LD＋０．６（ｎｍ／℃）×ΔＴ」なる関係が成立する。 - 特許庁

In the method for guessing a surface resistance of a superconductive film, a gap energy is represented in a complex number to guess a surface resistance of a superconductive film using a Mattis-Bardeen equation.例文帳に追加

本発明のある側面は、ギャップエネルギーを複素数化し、Mattis-Bardeen方程式を使って超伝導膜の表面抵抗を推測することを特徴とする超伝導膜表面抵抗推測方法にある。 - 特許庁

The p-type clad layer 7 and the n-type clad layer 9 are formed from a compound semiconductor of a composition equation Mg_zZn_1-zO (0≤z<1) whose band gap energy Eg is larger than the active layer 8.例文帳に追加

また、ｐ型クラッド層７及びｎ型クラッド層９は活性層８よりもバンドギャップエネルギーＥｇが大きな組成式Ｍｇ_ｚＺｎ_１−ｚＯ（０≦ｚ＜１）からなる化合物半導体で形成されている。 - 特許庁