gallium sulfideとは 意味・読み方・使い方

GALLIUM SULFIDE SUBMICROMETER TUBE, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

硫化ガリウムサブマイクロメートルチューブ及びその製造方法 - 特許庁

In addition to a gallium sulfide submicrometer tube whose inside is hollow, a gallium sulfide submicrometer tube whose inside is packed with metal gallium can be obtained as well.例文帳に追加

チューブ内が中空である硫化ガリウムサブマイクロメートルチューブのほかに金属ガリウムがチューブ内に充填されている硫化ガリウムサブマイクロメートルチューブも得られる。 - 特許庁

Zinc sulfide, gallium nitride, gallium phosphide or indium phosphide is employed as the matrix, and terbium, europium, etc., are used as the activator.例文帳に追加

発光母体として硫化亜鉛又は、窒化ガリウム又は、燐化ガリウム又は、燐化インジウム、付活剤としてテルビウム、ユーロピウム等を使用する。 - 特許庁

To provide a gallium sulfide submicrometer tube whose application is expected to a semiconductor field, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

半導体分野にその応用が期待される硫化ガリウムサブマイクロメートルチューブ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The electroluminescent element 1 has a second light emitting layer 40a including a host material containing a mixed crystal of zinc sulfide and a gallium sulfide, and manganese as the light emitting center added to the host material.例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス素子１は、硫化亜鉛と硫化ガリウムとの混晶を含むホスト材料と、前記ホスト材料に添加された発光中心としてのマンガンと、を含む第２発光層４０ａを有する。 - 特許庁

A mixture of gallium oxide powder, zinc sulfide powder and activated carbon powder is heated at 1,300 to 1,600°C for 1 to 2 hr in an inert gas stream, thus a gallium sulfide submicrometer tube whose outer diameter is 200 to 900 nm, and the thickness of the tube wall is 60 to 300 nm can be produced.例文帳に追加

酸化ガリウム粉末と硫化亜鉛粉末と活性炭粉末との混合物を不活性ガス気流中で、１３００〜１６００℃で１〜２時間加熱することにより、外径が２００〜９００ｎｍであり、チューブ壁の厚さが６０〜３００ｎｍである硫化ガリウムサブマイクロメートルチューブを製造することができる。 - 特許庁

The stress luminescent substance is obtained by calcinating zinc sulfide which includes at least 0.5 mol% and at most 2.0 mol% of manganese and at least 0.01 mol% and at most 0.3 mol% of gallium in the concentration ranges, at the temperature of at least 1,000°C and at most 1,250°C in the reducing atmosphere.例文帳に追加

本発明の応力発光物質は、マンガンを0.5 mol％以上2.0 mol％以下、ガリウムを0.01 mol％以上0.3 mol％以下の濃度範囲で含有する硫化亜鉛を、還元性雰囲気下、1000℃以上1250℃以下の温度で焼成することによって得られる。 - 特許庁