gallium nitride sapphire substrateとは 意味・読み方・使い方

First, a layer made of nitride material with a wide band gap such as gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride, etc., is adhered to a sapphire substrate 11.例文帳に追加

この方法は、サファイア基板上に窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムなどの広バンド・ギャップの窒化物材料の層を付着させることから始まる。 - 特許庁

A gallium nitride semiconductor crystal 2 containing a light emitting region is formed on an R surface in a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１のＲ面上に、発光領域を含む窒化ガリウム半導体結晶２が形成されている。 - 特許庁

The method for producing a gallium nitride single crystal (comprises thickly growing gallium nitride by a hydride vapor phase epitaxy(HVPE) growing method on a sapphire substrate having fine asperities of which the projecting part size is ≥30 nm and ≤200 nm, and peeling the same from the sapphire substrate.例文帳に追加

凸部の大きさが３０ナノメーター以上、２００ナノメーター以下の微細な凹凸を有するサファイア基板上に、ＨＶＰＥ成長法で窒化ガリウムを厚く成長させ、サファイア基板から剥離する窒化ガリウム単結晶製造方法。 - 特許庁

A gallium nitride semiconductor layer is manufacturing by providing at least one column and at least one groove in a lower gallium nitride layer formed on a sapphire substrate by etching the gallium nitride layer.例文帳に追加

窒化ガリウム半導体層は、サファイア基板上の下層の窒化ガリウム層をエッチングして、下層の窒化ガリウムにおける少なくとも一つの柱および下層の窒化ガリウム層における少なくとも一つの溝を規定することによって製造される。 - 特許庁

In the case of the crystal growth of the gallium nitride compound semiconductor on the sapphire substrate, the thickness of the sapphire substrate is increased to the thickness of the crystal layer which performs the crystal growth.例文帳に追加

また、サファイア基板上での窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長に際しては、結晶成長させる結晶層の厚さに対してサファイア基板の厚さを厚くする。 - 特許庁

For the substrate 1, any one among sapphire, silicon carbide, silicon, or gallium nitride is used; and the nitride semiconductor layer includes at least one selected from among gallium nitride, aluminum nitride, or indium nitride.例文帳に追加

基板１は、サファイア、炭化ケイ素、シリコン、または窒化ガリウムのうちのいずれか１種を用い、窒化物半導体層は窒化ガリウム、窒化アルミニウム、または窒化インジウムのうちより選択される１種以上を含む窒化物半導体層よりなる構成の窒化物半導体素子とする。 - 特許庁

To provide a method of producing a sapphire substrate having an aluminum nitride crystal layer on its surface and being suitably used as a substrate when a nitride crystal such as gallium nitride (GaN) being a base material for a nitride semiconductor is produced, by which method the sapphire substrate having the aluminum nitride crystal layer is efficiently and easily produced without using a specific apparatus such as a plasma generating system.例文帳に追加

窒化物半導体となる窒化ガリウム（ＧａＮ）等の窒化物結晶を製造する際の基板として好適に使用できる、表面に窒化アルミニウム結晶層を有するサファイヤ基板を、プラズマ発生装置等の特殊な装置を使用することなく、効率的且つ簡便に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a blue light-emitting element of high luminous efficiency by improving crystallinity of a gallium nitride compound semiconductor on a sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板上の窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を向上させて発光効率の高い青色の発光素子を得ること。 - 特許庁