gallium chlorideとは 意味・読み方・使い方

Hydrogen chloride is introduced into a Ga reservoir 8, in which gallium is arranged, and is jetted from a jetting port 10 arranged in the vicinity of the top part of the group V gas diffusing part 7.例文帳に追加

一方、塩化水素はガリウムを配置したＧａ溜め８に導かれ、Ｖ族ガス拡散部７の頂点部付近に配置された噴射口１０より噴射される。 - 特許庁

To provide a method for producing a trialkylgallium, capable of producing the trialkygallium in a high yield through reaction of gallium, magnesium, and an alkyl halide, by using a hydrocarbon compound as a solvent, without using a gallium-magnesium alloy, even when an alkyl chloride is used as the alkyl halide.例文帳に追加

ガリウムとマグネシウムとハロゲン化アルキルとの反応によりトリアルキルガリウムを製造する方法であって、ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、溶媒として炭化水素化合物を用い、かつハロゲン化アルキルとして塩化アルキルを用いても、収率良くトリアルキルガリウムを得ることができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide an manufacturing apparatus, an exhaust gas cleaning equipment, or a manufacturing facility which are capable of preventing an electrostatic charge caused from a powder of ammonium chloride and of high safety in a process of a semiconductor of gallium nitride film by a HVPE method.例文帳に追加

ＨＶＰＥ法による窒化ガリウム膜半導体のプロセスにおいて、塩化アンモニウム粉末による静電気の帯電を防止することが可能な安全性が高い製造装置、排ガス浄化装置、あるいは製造設備を提供する。 - 特許庁

A GaN film is formed by performing a carrying-in step of carrying a substrate into a processing chamber, an initial film formation step of supplying an organic metallic compound gas containing a gallium atom and an ammonia gas into the processing chamber to form an initial film, and an epitaxial film formation step of simultaneously supplying a gallium chloride gas and the ammonia gas into the processing chamber to form an epitaxial film after the initial film formation step.例文帳に追加

基板を処理室内に搬入する搬入工程と、ガリウム原子を含有する有機金属化合物ガスとアンモニアガスとを前記処理室内に供給し、初期膜を形成する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内にガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 - 特許庁

A thermal reaction type resist material of this invention is characterized by including copper(II) oxide and at least one reoxidation inhibitor selected from a group consisting of lithium, sodium, magnesium, calcium, titanium, iron, cobalt, zinc, gallium, silicon, germanium, lead, bismuth and tellurium and their oxide, chloride, fluoride and carbonate.例文帳に追加

本発明の熱反応型レジスト材料は、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、チタン、鉄、コバルト、亜鉛、ガリウム、シリコン、ゲルマニウム、鉛、ビスマス、及びテルル並びにその酸化物、塩化物、フッ化物、及び炭酸化物からなる群から選択された少なくとも１つの再酸化防止剤と、酸化銅（ＩＩ）と、を含有することを特徴とする。 - 特許庁

A thermal reaction type resist material of this invention is characterized by including copper(I) oxide and at least one reoxidation inhibitor selected from a group consisting of lithium, sodium, magnesium, calcium, titanium, iron, cobalt, zinc, gallium, silicon, germanium, lead, bismuth and tellurium and their oxide, chloride, fluoride and carbonate.例文帳に追加

本発明の熱反応型レジスト材料は、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、チタン、鉄、コバルト、亜鉛、ガリウム、シリコン、ゲルマニウム、鉛、ビスマス、及びテルル、並びにその酸化物、塩化物、フッ化物、及び炭酸化物からなる群から選択された少なくとも１つの再酸化防止剤と、酸化銅（Ｉ）と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method for producing the trialkylgallium includes a first process for heating a mixture of the magnesium and the gallium in a molten state under a vacuum and a second process for reacting the mixture heated under the vacuum with the alkyl chloride in at least one kind of ether compound so as to synthesize the trialkylgallium.例文帳に追加

マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種のエーテル化合物中で、真空加熱された上記混合物と塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 - 特許庁

The method for producing 1,1,2-trichloroethane (TCE) comprises using a system containing at least one kind of metal selected from a group consisting of molybdenum, gallium, titanium, zirconium and tungsten or a compound of the metal as a catalyst, in the method for producing TCE by reacting vinyl chloride with chlorine.例文帳に追加

塩化ビニルと塩素とを反応させて、１，１，２−トリクロロエタンを製造する方法において、モリブデン、ガリウム、チタン、ジルコニウムおよびタングステンからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の金属もしくは金属化合物を含む系を触媒として用いることを特徴とする１，１，２−トリクロロエタンの製造方法。 - 特許庁