forbidden band widthとは 意味・読み方・使い方

The emitter layer 26 includes a second semiconductor having a larger forbidden band width than that of the first semiconductor.例文帳に追加

エミッタ層２６は、第１の半導体材料の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有する第２の半導体を含む。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, an active layer 5 is formed of a first III group nitride semiconductor with a first forbidden band width.例文帳に追加

半導体装置１では、活性層５は、第１の禁制帯幅を有する第１のIII族窒化物半導体から成る。 - 特許庁

Especially, an electroconductive oxide such as an SnO_2 or ITO film, or a wide forbidden band width semiconductor such as GaN or SiC is used.例文帳に追加

特に、ＳｎＯ_２やＩＴＯ膜などの導電性酸化物、ＧａＮやＳｉＣなどの広禁制帯幅半導体を用いる。 - 特許庁

The gate layer 28 is formed of semiconductor material, whose forbidden band width is wider than that of an adjacent channel region.例文帳に追加

ゲート層２８が、隣接するチャネル領域の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する半導体材料で形成される。 - 特許庁

This deodorizing antimicrobial agent comprises a hydrotalcite compound, a semiconductor having 0.5-5 eV forbidden band width and a binder for fiber.例文帳に追加

ハイドロタルサイト化合物と、０．５〜５ｅＶの禁止帯幅を有する半導体と、繊維用バインダーとを含有してなる消臭抗菌剤。 - 特許庁

A source layer 30 is formed of semiconductor material whose forbidden band width is wider than that of an adjacent channel region.例文帳に追加

また、ソース層３０が、隣接するチャネル領域の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する半導体材料で形成される。 - 特許庁

The light emitting deice includes an active layer provided with a quantum dot formed of a first material whose forbidden band width becomes wider with temperature rise, and a barrier layer formed of a second material whose forbidden band width becomes narrower with temperature rise and having the quantum dot embedded therein.例文帳に追加

温度が上昇すると禁制帯の幅が広くなる第１の材料で形成された量子ドットと、温度が上昇すると禁制帯の幅が狭くなる第２の材料で形成され、前記量子ドットを埋め込む障壁層とを有する活性層を具備すること。 - 特許庁

A photovoltaic cell structure, wherein a p-type light absorption layer has a localized level or an intermediate band in the forbidden band is obtained, by forming a p-n heterojunction that is laminated of an n-type semiconductor, having the forbidden band width larger than that of the light-absorbing layer on the light-incident side thereof.例文帳に追加

p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。 - 特許庁