flat band voltageとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, with the shift of a flat band voltage of a gate oxide film to the negative side restrained.例文帳に追加

ゲート酸化膜のフラットバンド電圧のマイナス側へのシフトを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Alternatively, the process can be managed by using an MIS capacitor in place of the transistor and measuring the flat band voltage, midgap voltage or interface trap thereof.例文帳に追加

トランジスタの代わりに、ＭＩＳキャパシタを使用し、そのフラットバンド電圧、ミッドギャップ電圧又は界面トラップ量を測定して工程管理に当てる事も出来る。 - 特許庁

A semiconductor device capable of preventing the significant shift of the flat band voltage and its manufacturing process can thereby be provided.例文帳に追加

従って、フラットバンド電圧の大きなシフトを防止し得る半導体装置及びその製造方法を提供することができる。 - 特許庁

An insulating intermediate layer for use in the complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) is provided in order to prevent undesirable shifts of the threshold voltage and the flat-band voltage.例文帳に追加

閾値電圧及びフラットバンド電圧の望ましくないシフトを防止する相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）に用いるための絶縁中間層が設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing or suppressing increase in threshold voltage and preventing or suppressing decrease in flat band voltage, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

閾値電圧が上昇するのを防止または抑制でき、フラットバンド電圧が低下するのを防止または抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulating intermediate layer comprises metal nitride capable of containing oxygen, and stabilizes the threshold voltage and the flat-band voltage.例文帳に追加

本発明の絶縁中間層は、随意的には酸素を含有することができるあらゆる金属窒化物であり、閾値及びフラットバンド電圧を安定化させることができる。 - 特許庁

While a flat band voltage for flattening both energy bands is applied between the n-type semiconductor layer and p-type semiconductor, the forbidden band of the n-type semiconductor layer and forbidden band of the p-type semiconductor layer are partially overlapped.例文帳に追加

ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に、両者のエネルギバンドがフラットになるフラットバンド電圧を印加した状態で、ｎ型半導体層の禁制帯とｐ型半導体層の禁制帯とが部分的に重なる。 - 特許庁

In this gate electrode, flat band voltage can be controlled by the amount of doped yttrium and characteristics do not deteriorate much even by heat treatment around 600°C.例文帳に追加

このゲート電極はイットリウムの添加量に従ってフラットバンド電圧を調節できるとともに、６００℃程度の熱処理を受けても特性の劣化が少ない。 - 特許庁