first criticalとは 意味・読み方・使い方

The first light guide layer has a first refractive index n_1 and a first critical angle (θ_C1), the second light guide layer has a second refractive index n_2, and a boundary surface between the first light guide layer and the second light guide layer has a critical angle (θ_C12) of a first interface.例文帳に追加

前記第１導光層は第１屈折率n_１と第１臨界角(θ_Ｃ１)を持っており、前記第２導光層は第２屈折率n_２を持っており、第１導光層と第２導光層との境界面は第１界面の臨界角(θ_Ｃ１２)を持っている。 - 特許庁

Further preferably, |T_3C-T_1C| which is the difference between a third critical temperature T_3C in which a magnetic susceptibility becomes -0.001 and the first critical temperature T_1C is 3.0 K or less.例文帳に追加

さらに好ましくは、磁化率が−０．００１となる第３の臨界温度Ｔ_3Cと前記第１の臨界温度Ｔ_1Cとの差｜Ｔ_3C−Ｔ_1C｜が３．０Ｋ以下である。 - 特許庁

The first critical step is mounting /usr/ports from the same machine to all the machines in the build set.発音を聞く 例文帳に追加

最初に重要な点は、ビルドセットのすべてのマシンに同じマシンの /usr/portsをマウントすることです。 - FreeBSD

Then a light emitting element 1, wherein the first p-type contact layer 106 is so formed that the growth temperature is the critical growth temperature and the Mg concentration is the critical Mg concentration, is manufactured.例文帳に追加

次に、成長温度を臨界成長温度とし、Ｍｇ濃度が臨界Ｍｇ濃度となるように第１ｐ型コンタクト層１０６を形成した発光素子１を作製する。 - 特許庁

A first pattern 131 and a second pattern 132 of a semiconductor element 100 have different critical dimensions (CDs).例文帳に追加

半導体素子１００の第一パターン１３１と第二パターン１３２とは、それぞれ異なるＣＤを有する。 - 特許庁

In the first scanning operation, a critical zone at an edge is used in the recording in the scanning of the print head.例文帳に追加

ここで、第１の走査処理は、プリントヘッドの走査において、エッジのところのクリティカルゾーンを記録に用いる。 - 特許庁

The Curie points of the first and second in-plane magnetized layers 4 and 6 are set to the critical temperature of the reproducing layer 3 or lower.例文帳に追加

第１及び第２面内磁化層４及び６のキュリー温度を再生層３の臨界温度以下にする。 - 特許庁

In the step ST04, a first critical area to a short circuit between different-potential patterns and a second critical area to the short circuit between different-potential patterns crossing over a gate pattern are generated.例文帳に追加

ステップＳＴ０４において、異電位パターン間のショートに対する第１のクリティカルエリア、および、ゲートパターンを跨いだ異電位パターン間のショートに対する第２のクリティカルエリアを発生させる。 - 特許庁