film growth processとは 意味・読み方・使い方

Subsequently, a Ta film 111 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the film 110, a Cu film 112 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the Ta film 111, and then a Cu film 113 is deposited by electroplating on a surface of the Cu film 112.例文帳に追加

次にＴｉＮ膜１１０表面に物理的気層成長法によりＴａ膜１１１を堆積し、次にＴａ膜１１１表面に物理的気層成長法によりＣｕ膜１１２を堆積した後に、電解メッキ法によりＣｕ膜１１２の表面にＣｕ１１３膜を堆積する。 - 特許庁

To increase the nuclear generating density of crystal growth in the initial stage of the growth of a Cu film in the case Cu (hfac) (atms) is used in the production of a Cu film by a Cu-CVD process.例文帳に追加

Ｃｕ−ＣＶＤプロセスによるＣｕ膜作製でＣｕ（ｈｆａｃ）（ａｔｍｓ）を用いる場合にＣｕ膜成長の初期段階で結晶成長の核発生密度を高める。 - 特許庁

To form a film of high quality by improving dispersion in film thickness uniformity in a selective growth process in a batch type processing device.例文帳に追加

バッチ式処理装置における選択成長プロセスでの膜厚均一性のばらつきを改善し、高品質な膜を形成する。 - 特許庁

In a growth method of a nitride semiconductor thin film, TMG (trimethyl gallium) or TEG (triethyl gallium) is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth process) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting, wherein a supply amount of the TMG or TEG is larger than that in the first growth process.例文帳に追加

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも大きな供給量でTMG又はTEGを供給する。 - 特許庁

To cause lateral crystal growth by a laser annealing process to form a semiconductor thin film of a uniform crystal structure.例文帳に追加

レーザアニールでラテラル結晶成長を引き起し、均一な結晶構造の半導体薄膜を形成する。 - 特許庁

For a thickened piezoelectric film, a growth time can be extended or a film formation process can be repeated until a desired film thickness is achieved.例文帳に追加

より厚い圧電膜に対しては、成長時間を長くすることができ、あるいは、所望の膜厚に達するまで膜形成プロセスを反復することができる。 - 特許庁

In a growth process of a single crystal film, when the cooling speed is gradually increased, a gradient in the Bi concentration is formed in the single crystal film 44.例文帳に追加

単結晶膜の育成過程において、冷却速度を次第に速くすると、単結晶膜４４内のＢｉ濃度に勾配がつく。 - 特許庁

It is also preferred that a baking temperature in the Al baking process is set higher than a growth temperature in the growth process of the silicon nitride film, and a temperature at which the after-baking process is conducted.例文帳に追加

また本発明においては、Ａｌ焼成工程における焼成温度が窒化シリコン膜の成長工程における成長温度および該後焼成工程の温度よりも高く設定されることが好ましい。 - 特許庁