exploring probeとは 意味・読み方・使い方

EXPLORING NEEDLE FOR ULTRASOUND PROBE AND EXPLORING NEEDLE ATTACHMENT例文帳に追加

超音波探触子用穿刺針及び穿刺針アタッチメント - 特許庁

The voltage measurement unit 17 measures the electromotive force of the semiconductor sample 22 detected between the exploring needles b, c of the probe 15 with four exploring needles for output to a control unit 14.例文帳に追加

電圧測定部１７は、４探針プローブ１５の探針ｂ、ｃ間で検出した半導体試料２２の起電力を測定し、制御部１４へ出力する。 - 特許庁

APPARATUS FOR MEASURING NEAR-FIELD LIGHT DISTRIBUTION AND METHOD OF MANUFACTURING EXPLORING NEEDLE AND FLAT-TYPE PROBE USED IN THE SAME例文帳に追加

近接場光分布測定装置およびそれに用いる探針ならびに平面型プローブの製造方法 - 特許庁

To provide an exploring needle for an ultrasound probe which makes it possible to easily detect that until which place in a testee body the exploring needle is inserted, and is prevented from being bent when it is inserted into the testee body, and to provide an exploring instrument attachment.例文帳に追加

穿刺針が被検体内のどこまで挿入されたかが容易に検知可能であると伴に、穿刺針を被検体内へ挿入する時に折れ曲がることを防ぐことが可能な超音波探触子用穿刺針及び穿刺具アタッチメントを提供する。 - 特許庁

The exploring needle for the ultrasound probe includes one or more planes formed surrounding a distal end to be inserted to the testee body.例文帳に追加

超音波探触子用穿刺針において、被検体へ挿入される先端部の周囲に少なくとも１つの平面が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

To provide an apparatus for evaluating near-field light with a simple structure, which can evaluate states of a minute aperture section in a probe affecting the light intensity in a near-field, and to provide a method of manufacturing an exploring needle and a flat-type probe used in the apparatus.例文帳に追加

簡易な構成を用いて、近接場光強度に影響を及ぼすプローブの微小開口部の状態を評価することができる近接場光評価装置およびそれに用いる探針ならびに平面型プローブの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The resistivity measuring device for measuring the resistivity of the semiconductor sample 22 generating the electromotive force upon receiving light irradiates light from a light source 21 to the semiconductor sample 22 and detects the electromotive force generated by the semiconductor sample 22 between two exploring needles b, c of a probe 15 with four exploring needles for output to a voltage measurement unit 17.例文帳に追加

受光すると起電力が発生する半導体試料２２の抵抗率を測定する抵抗率測定装置において、光源部２１から半導体試料２２に光を照射し、半導体試料２２が発生する起電力を４探針プローブ１５の２つの探針ｂ、ｃ間で検出して電圧測定部１７へ出力する。 - 特許庁