excimer laser etchingとは 意味・読み方・使い方

To prevent resist breakdown to obtain anisotropic patterns, without fail on etching-target films and to control the sizes of the patterns, in etching processes in which resist patterns formed of resist material for exposing to an ArF excimer laser are used.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザ感光用のレジスト材からなるレジストパターンを用いるエッチング工程において、レジスト倒れを防止して被エッチング膜に異方性形状を確実に得ると共に、パターン寸法を制御できるようにする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which exhibits sufficient transmittance to a light source of ≤160 nm wavelength, more specifically an F_2 excimer laser (157 nm), and has high sensitivity, high resolution and excellent dry etching resistance.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の光源使用時に十分な透過性を示し、且つ高感度、高解像でドライエッチング耐性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A step of peeling the etching resist having been used for etching the magnetic layer includes: a step of radiating excimer VUV laser under a reduced pressure onto the etching resist on the magnetic layer or a protection layer; and a step of cleaning and removing the resist remaining on the magnetic layer or the protection layer by soaking the resist in a release agent solution.例文帳に追加

磁性層のエッチングに用いたエッチングレジストの剥離工程が、磁性層または保護層上のエッチングレジストに、減圧下にエキシマＶＵＶレーザを照射する工程、および磁性層または保護層上に残存するレジストをレジスト剥離剤溶液に浸漬して洗浄除去する工程、からなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a resist composition highly transparent to a light of a wavelength of at most 250 nm, particularly to an ArF excimer laser light, excellent in resist performances such as sensitivity, resolution, adhesion to a substrate and dry etching resistance, and therefore suitable for the far ultraviolet light excimer laser lithography, an electron beam lithography and the like, and a pattern forming method using the resist composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、感度、解像度、基板密着性、ドライエッチング耐性といったレジスト性能に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

At the time of resin molding an ink supply plate, a nozzle hole (20-50 μm) is made as a closed hole and a dimple is formed near the nozzle hole by means of plasma etching or excimer laser and then a nozzle hole is opened.例文帳に追加

インク供給プレートの樹脂成形の際にはノズル穴（２０〜５０μm）を閉じ穴として成形し、その後でプラズマエッチング、エキシマレーザなどの方法でノズル穴近傍にディンプルを作製し、その後ノズル穴を開けるようにする。 - 特許庁

To provide a micropattern forming method using a highly practical fluorine-containing polymer capable of improving dry etching resistance with respect to a fluorine-containing polymer having high transparency to exposure light of a short wavelength such as F_2 excimer laser light.例文帳に追加

Ｆ_2短波長の露光光に対して透明性の高い含フッ素重合体において、ドライエッチング耐性を改善できる実用性の高い含フッ素重合体を用いた微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer compound excellent in resolution in exposure to an ArF excimer laser and dry etching resist, capable of suppressing line edge roughness small and useful for a base resin for use in a radiation sensitive resist.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマレーザー露光における解像性とドライエッチング耐性に優れ、ラインエッジラフネスを小さく抑えることができる感放射線レジスト用のベース樹脂として有用な高分子化合物の提供。 - 特許庁

To provide a composition for forming a resist underlay film having a large selection ratio in a dry etching rate and showing a desired k value and a refractive index n at a short wavelength such as ArF excimer laser light.例文帳に追加

ドライエッチング速度の選択比が大きく、しかもＡｒＦエキシマレーザーのような短波長でのｋ値及び屈折率ｎが所望の値を示すレジスト下層膜を形成するための組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁