energy bandgapとは 意味・読み方・使い方

The active layer 14 has: a gain area 31; an end face window region 33 formed in a region containing an end face of the resonator, which has larger bandgap energy compared with that of the gain area 31; and a transition region 32 formed between the between gain area 31 and the end face window region 33, the bandgap energy of which changes continuously.例文帳に追加

活性層１４は、利得領域３１と、共振器の端面を含む領域に形成され且つ利得領域３１と比べてバンドギャップエネルギーが大きい端面窓領域３３と、利得領域３１と端面窓領域３３との間に形成され且つバンドギャップエネルギーが連続的に変化する遷移領域３２とを有している。 - 特許庁

The quantum dot layer 32 has a small bandgap energy, and by raising the tunnel probability in the tunnel junction 17, the low resistivity and the high output power of the VCSEL device 10 are made to be possible.例文帳に追加

量子ドット層３２は、小さなバンドギャップエネルギーを有し、トンネル接合１７内のトンネル確率を上げることにより、ＶＣＳＥＬ素子１０の低抵抗化及び高出力化を可能にする。 - 特許庁

The power semiconductor device using Si as the base substance and the power semiconductor device using the semiconductor having an energy bandgap wider than the energy bandgap of Si as the base substance are mounted on different insulated metal substrates respectively, and those insulated metal substrates are mounted on different metal bases for heat dissipation respectively, so that conduction of heat between both power semiconductor devices is suppressed.例文帳に追加

Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子とＳｉよりもエネルギーバンドギャップが広い半導体を基体として用いる電力半導体素子を、それぞれ別の絶縁金属基板に搭載し、さらにこれら絶縁金属基板がそれぞれ別の放熱用金属ベースに搭載されるので、両電力半導体素子間における熱の伝わりが抑制される。 - 特許庁

By the method of forming the gate recess 20, UV light having energy, where a bandgap energy is equivalent to that of a prescribed semiconductor layer within the semiconductor layer, is applied from the surface of the semiconductor layer changing in a layer direction from a gate opening 19 by photoelectrochemical etching, and at the same time the semiconductor layer of prescribed bandgap energy within the semiconductor layer is etched from the gate opening of an SiN surface protection layer 17.例文帳に追加

光電気化学エッチングにより、バンドギャップエネルギーが、ゲート開口部１９から層方向に変化する半導体層の表面から前記半導体層内の所定の半導体層のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギーを有するＵＶ光を照射しながら、ＳｉＮ表面保護層１７の前記ゲート開口部から前記半導体層内の所定のバンドギャップエネルギーの半導体層をエッチングすることを特徴とするゲートリセス２０の形成方法。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor using a semiconductor with a Wurtzite crystal structure capable of forming a barrier layer out of a semiconductor having a greater bandgap energy, without increasing contact resistance with an electrode.例文帳に追加

ウルツ鉱型結晶構造の半導体を用いた電界効果トランジスタで、電極との接触抵抗を高くすることなく、バンドギャップエネルギーのより大きな半導体から障壁層が構成できるようにする。 - 特許庁

This solar energy conversion device includes a vertical stack of at least two panels stacked in a hierarchy from an upper panel to a lower panel, wherein each of the panels includes a matching array of solar cells having a different energy bandgap from other panels of solar cells in the vertical stack of panels.例文帳に追加

太陽エネルギー変換デバイスは、上部パネルから下部パネルまでの階層に積層された少なくとも２つのパネルの垂直積層体を備え、パネルの各々は、パネルの垂直積層体内の他のパネルの太陽電池とは異なるエネルギー・バンドギャップを有する太陽電池の整合（マッチング）アレイを含む。 - 特許庁

The layers 11 and 15 have a bandgap larger than energy equivalent to a light emitting wavelength of the active layer 13, and have a refractive index larger than those of the layers 12 and 14.例文帳に追加

第１光ガイド層１１および第２光ガイド層１５は、活性層１３の発光波長に相当するエネルギーより大きなバンドギャップを有し、かつ第１キャリア閉じ込め層１２および第２キャリア閉じ込め層１４よりも大きな屈折率を有する。 - 特許庁

The nano-columns 2 are each formed into a coaxially shaped heterostructure in which a core portion 21 made of an n-type GaN is surrounded by a cylindrical shell portion 22 made of an n-type AlGaN having a bandgap energy larger than that of the n-type GaN, and the core portion 21 itself is used as an active layer.例文帳に追加

ナノコラム２を、ｎ型ＧａＮから成るコア部２１を、それよりバンドギャップエネルギーが大きいｎ型ＡｌＧａＮから成る筒状のシェル部２２で囲んだ同軸形状のヘテロ構造に形成し、コア部２１自体を活性層とする。 - 特許庁