element 108とは 意味・読み方・使い方

A sequencer 108 is coupled to the configuration element generator 110, and imparts consecutive number of tags onto the configuration elements 113.例文帳に追加

シーケンサ(108)は、コンフィギュレーション要素発生器(110)に結合され、コンフィギュレーション要素(113)に連続番号でタグ付けする。 - 特許庁

A memory element 108 is attached onto the external surface of the tank case 102.例文帳に追加

タンクケース１０２の外面には記憶素子１０８が装着されている。 - 特許庁

An attachment part 120 with concavities which fits at least a part of the memory element 108 is formed on the external surface where the memory element 108 is attached.例文帳に追加

記憶素子１０８が装着される外面には、記憶素子１０８の少なくも一部を嵌合させ得る凹面状の装着部１２０が形成されている。 - 特許庁

A memory device 100 has a read margin exceeding MR ratio of an MR element 104 and is equipped with a memory cell 102 having the MR element 104, a reference transistor 106 and an amplification transistor 108.例文帳に追加

メモリデバイス100は、ＭＲ素子104のＭＲ比を超える読み取りマージンを持ち、ＭＲ素子104と、基準トランジスタ106と、増幅トランジスタ108とを有するメモリセル102を備える。 - 特許庁

The heat generated by an IC 54 is transferred to a heat sink 108 through the conductive element 102, a heat-conductive via 104, and a heat conductive pattern 106.例文帳に追加

ＩＣ54が発生する熱は、導電要素102、熱導伝性ビア104、熱導伝性パターン106を介してヒートシンク108に伝わる。 - 特許庁

The electrooptical element 100 includes a light emitting element 140 and a light-receiving element 120 that is formed on the light receiving element 140 and has an optical surface 108.例文帳に追加

本発明の光素子１００は、発光素子部１４０と、発光素子部１４０上に設けられ、光学面１０８を有する受光素子部１２０と、を含む。 - 特許庁

When the oscillating body apparatus is constituted as the optical deflector, one movable element 109 includes an optical deflection element 108, and at least one movable element 105 includes driving means 104, 110 for applying torque to oscillate the movable element.例文帳に追加

揺動体装置は光偏向器として構成される場合、1つの可動子109に光偏向素子108が設けられ、少なくとも1つの可動子105にトルクを印加して可動子を揺動させる駆動手段104、110が備えられる。 - 特許庁

The memory cell 102 uses a current flowing through the MR element 104, controls the voltage between the gate and the source of the amplification transistor 108 and detects a storage state of the memory cell 102 by the voltage drop (current loss) of the amplification transistor 108.例文帳に追加

メモリセル102は、ＭＲ素子104を流れる電流を使用して、増幅トランジスタ108のゲート・ソース間電圧を制御し、増幅トランジスタ108の電圧降下（電流損失）により、メモリセル102の記憶状態を感知する。 - 特許庁