drain conductanceとは 意味・読み方・使い方

Thus, the N+ source drain regions 9 are not formed below the dummy gate electrode 20 and the widths of the N+ source drain regions 9 become narrow and the conductance of the access transistor drops.例文帳に追加

その結果、ダミーゲート電極２０の下方にはＮ＋ソースドレイン領域９は形成されずＮ＋ソースドレイン領域９の幅が狭くなり、アクセストランジスタのコンダクタンスは低下する。 - 特許庁

To realize a normally-off type field-effect transistor having superior element characteristics with reduced parasitic resistance of channel, increased maximum drain current and increased mutual conductance.例文帳に追加

チャネルの寄生抵抗を小さく最大ドレイン電流が大きく相互コンダクタンスの大きな素子特性に優れたノーマリオフ型電界効果トランジスタの実現。 - 特許庁

To improve the simulation precision of a high breakdown voltage MOS transistor having a single-sided LDD structure by replicating the attenuation of the transconductance gm and the source-drain conductance gds.例文帳に追加

トランスコンダクタンスｇｍ及びソースドレインコンダクタンスｇｄｓの減衰を再現し、片側ＬＤＤ構造を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタのシミュレーション精度を向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for realizing drain currents and transformer conductance necessary for the driving of an analog switch even when a power supply voltage is decreased.例文帳に追加

電源電圧を下げた場合であっても，アナログスイッチの駆動に必要なドレイン電流及びトランスコンダクタンスを実現することの可能な半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

The drain voltage is fed back to a gain control terminal G to vary the mutual conductance of the OTA1 thereby controlling the current i101 to be equal to the current i102.例文帳に追加

このドレイン電圧が利得制御端子Ｇに帰還されて、ＯＴＡ１の相互コンダクタンスが可変されることにより、電流ｉ１０１と電流ｉ１０２が等しくなるよう制御される。 - 特許庁

A solid electrolyte secondary battery 212 is used for a floating gate coated with an insulating film between a source 112 and a drain 112' formed on a silicon substrate 111 and channel conductance between the source and the drain is changed by a battery voltage generated by the secondary battery.例文帳に追加

シリコン基板１１１上に形成されたソース−ドレイン１１２、１１２′間の、絶縁膜に被覆されたフローティング・ゲートに固体電解質二次電池２１２を用い、二次電池が発生する電池電圧によりソース−ドレイン間のチャンネルコンダクタンスを変化させる。 - 特許庁

The MOS power device 600 comprises a substrate 601 having an upper layer 602 having an upper surface 605 and a drain region 603 underlying it, a first conductance type well region 604 on the drain region in the upper layer, and a plurality of gates buried in trenches 607 extending from the upside of the upper layer into the drain region via the well region.例文帳に追加

上部表面６０５とその下に在るドレイン領域６０３とを有する上部層６０２を含む基板６０１と、ドレイン領域の上に在って上部層内に配置された第１のコンダクタンス型の井戸領域６０４と、上部層の上部表面から井戸領域を通ってドレイン領域内に延びるトレンチ６０７に埋め込まれた複数のゲートを含むＭＯＳパワーデバイス６００。 - 特許庁

A transistor circuit (100) is provided with a driving transistor whose conductance between a source and drain is controlled according to the voltage of the input signal which is to be supplied to its gate and a compensating transistor (120) whose gate is connected to either a source or a drain and which is connected so that the input signal is supplied to the gate of the driving transistor via the source and the drain.例文帳に追加

トランジスタ回路（１００）は、ゲートに供給される入力信号の電圧に応じてソース及びドレイン間のコンダクタンスが制御される駆動用トランジスタ（１１０）と、ゲートがソース及びドレインの一方に接続されており、該ソース及びドレインを介して入力信号が駆動用トランジスタのゲートに供給されるように接続された補償用トランジスタ（１２０）とを備える。 - 特許庁