double-heterostructureとは 意味・読み方・使い方

To provide an epitaxial wafer and a chip of a double heterostructure having a breakdown voltage higher than a prescribed value while suppressing a forward drive voltage.例文帳に追加

ダブルヘテロ構造を有するエピタキシャル・ウエハ及びチップにおいて、順方向駆動電圧を低く抑えること、及び、ブレークダウン電圧を所定の値以上にすることを両立させる。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer with a double heterostructure having the same cost as that having singal heterospructure, its manufacturing method, and a light-emitting diode by reducing the cost of a new material (manufacturing cost).例文帳に追加

原料費（製造コスト）の低減により、シングロヘテロ構造エピタキシャルウエハと同価格のダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハとその製造方法及び発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

In an epitaxial wafer in a p-type GaAlAs system single heterostructure or double heterostructure, carbon density in an n-type GaAlAs clad layer 3 is set, having concentration of not higher than 1×10^17 cm^-3, by using a graphite jig applied with a PBN coating as a liquid phase epitaxial layer growing device.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｌＡｓ系シングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハにおいて、液相エピタキシャル層成長治具として、ＰＢＮコーティングを施したグラファイト治具を用いて、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３中のカーボン濃度を１×１０^17cm^-3以下にする。 - 特許庁

The field-effect transistor has a double heterostructure where a channel layer is formed in which electrons flow is sandwiched between an underground layer of forbidden band bigger than that of the channel layer and an electron donor layer.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、電子の流れるチャネル層がチャネル層よりも禁制帯幅の大きな下地層と電子供給層に挟まれた形で形成される、いわゆるダブルヘテロ構造を有している。 - 特許庁

A solar cell is provided with a double-layer heterostructure of a substrate 10 comprising a polycrystal of plural elements having a non- uniform micro composition distribution and a deposit 20 formed by depositing to grow a thin film crystal on this substrate.例文帳に追加

ミクロ的な組成分布が不均一な多元系多結晶からなる基板１０と、この基板上に薄膜結晶を堆積成長させてなる堆積成長層２０との２層ヘテロ構造を備えた太陽電池。 - 特許庁

In this epitaxial wafer having the double heterostructure, the ratio of the carrier concentration C2 of the p-type GaAs substrate 4 to the carrier concentration C1 of the p-type GaAlAs clad layer 3 is so determined as to have the relation 25≤ C2/C1≤ 70.例文帳に追加

このダブルヘテロ構造をしたエピタキシャルウェハにおいて、ｐ型ＧａＡｓ基板４のキャリア濃度Ｃ２とｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３のキャリア濃度Ｃ１との比が２５≦Ｃ２／Ｃ１≦７０の関係にあるように定める。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor laser in which introduction of spot defect is suppressed by epitaxially growing a double heterostructure on the periphery of an active layer through pulse growth in an AlGaInP based semiconductor laser on an off substrate.例文帳に追加

オフ基板上のAlGaInP系半導体レーザにおいて、パルス成長により活性層周辺のダブルヘテロ構造を結晶成長することにより、点欠陥の導入の少ない高信頼な半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a double heterostructure light-emitting element, using a wide-gap oxide semiconductor and having a structure that can improve the luminous efficiency of an active layer by efficiently injecting carriers into the active layer.例文帳に追加

ワイドギャップ型酸化物半導体を用いたダブルヘテロ構造型発光素子において、活性層に効率よくキャリアを注入することができ、発光効率を高めることができる構造を有した発光素子を提供する。 - 特許庁