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diamond type crystalとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 ダイヤモンド型結晶

JST科学技術用語日英対訳辞書での「diamond type crystal」の意味

diamond type crystal


「diamond type crystal」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 18



例文

The n-type semiconductor diamond 1 is formed on a substrate 3 which is a diamond {110} single crystal substrate, and provided with a first non-doped diamond layer 7 and an n-type diamond layer 5.例文帳に追加

n型半導体ダイヤモンド1は、ダイヤモンド{110}単結晶基板である基板3上に形成されており、第1のノンドープダイヤモンド層7及びn型ダイヤモンド層5を備えている。 - 特許庁

In an electric field emission type cold cathode, an electron emission part is made from a crystal diamond and a fine crystal diamond by a CVD method.例文帳に追加

電界放出型冷陰極において電子放出部となる部分を、CVD法にて結晶ダイヤモンドと微結晶ダイヤモンドで構成する。 - 特許庁

A diamond crystal layer 1 having p-type or n-type conductivity is grown by a CVD device etc.例文帳に追加

p型またはn型の伝導性を有するダイヤモンド結晶層1をCVD装置などで成長させる。 - 特許庁

An N-type diamond semiconductor crystal layer 4, doped with sulfur which serves as donor atoms, is formed through a CVD method on a P-type diamond semiconductor crystal 2 which is formed of high-pressure synthetic diamond doped with boron or natural IIb diamond to form a P-N junction 6.例文帳に追加

ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド又は天然のIIb型ダイヤモンドから形成されたp型ダイヤモンド半導体結晶2上に、例えばプラズマCVD法によってドナー原子となるイオウをドープしたn型ダイヤモンド半導体結晶層4を成長させてpn接合6を形成したものである。 - 特許庁

FILM OF SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL OF N-TYPE (100) FACE-ORIENTED DIAMOND DOPED WITH PHOSPHORUS ATOM AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法 - 特許庁

To provide a film of a semiconductor single crystal of n-type (100) face-oriented diamond doped with a phosphorous atom, and a process for producing the film.例文帳に追加

リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a diamond semiconductor device oriented to a (100) face with an n-type single crystal diamond semiconductor film, oriented to the (100) face into which phosphorous atoms have been doped.例文帳に追加

本発明は、リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を備えた(100)面方位を有するダイヤモンド半導体デバイスを提供することを課題とする。 - 特許庁

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「diamond type crystal」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 18



例文

The crystal plane having the superior resistance to the shear stress is a plane having large bonding density between crystal planes, e.g. the plane (100) among the planes (111), (110), (100) in a diamond type crystal.例文帳に追加

耐せん断応力性に優れる結晶面とは、結晶面の間のボンド密度が多い面であり、ダイヤモンド型結晶においては、{111}面と{110}面と{100}面の中では{100}面である。 - 特許庁

To provide a current injection type pumped ultraviolet light emitting element providing a peak intensity of the FE light emission higher than a band- A light emitting peak intensity using a high quality high-pressure synthetic single crystal diamond and a gas phase synthetic single crystal diamond.例文帳に追加

FE発光のピーク強度がband−A発光ピーク強度よりも高い電流注入励起紫外線発光素子を、高品質の高圧合成単結晶ダイヤモンドと気相合成単結晶ダイヤモンドを用いて提供する。 - 特許庁

The semiconductor material may be GaN semiconductor, AlN semiconductor, SiC semiconductor, diamond type semiconductor, etc. and uses a mixed crystal semiconductor including InGaN semiconductor, AlGaN semiconductor, etc.例文帳に追加

また、混晶半導体であるInGaN系半導体、AlGaN系半導体なども、本実施形態において使用される半導体材料に含まれる。 - 特許庁

A high-resistivity semiconductor diamond film 5 having a carrier concentration of 1015 cm-3 or less is provided on an insulator diamond crystal substrate 1, low-resistivity semiconductor diamond films 2a, 2b each having a carrier concentration of 1020 cm-3 or more are provided so as to sandwich that film 5, and the semiconductor diamond films 5, 2a, 2b have the same conductivity type.例文帳に追加

絶縁体ダイヤモンド結晶基板1上にキャリア濃度を10^15cm^-3以下の高抵抗率な半導体ダイヤモンド薄膜5を設け、これを挟むようにキャリア濃度が10^20cm^-3以上の低抵抗率な半導体ダイヤモンド薄膜2a及び2bを設け、半導体ダイヤモンド薄膜5、2a及び2bの伝導型を同じにする。 - 特許庁

To provide a method for considerably easily producing a woodpile-type three-dimensional photonic crystal having a diamond crystalline structure at low cost with high accuracy.例文帳に追加

ダイヤモンド結晶構造を有するウッドパイル型3次元フォトニック結晶を、相当簡易且つ安価に、そしてまた高精度に形成することができる方法を提供する。 - 特許庁

The n-type semiconductor diamond contains Li and N in an amount of10 ppm, respectively, at the same depth from the crystal surface and has a sheet resistance of10^7 Ω/square.例文帳に追加

本発明のn型半導体ダイヤモンドは、LiとNが結晶表面から同じ深さにそれぞれ10ppm以上含有しており、シート抵抗が10^7Ω/□以下である。 - 特許庁

The polycrystal diamond to be used in molding the scribing wheel 50 is obtained by conversion-sintering a graphite-type carbon material with a fine crystal grain texture or amorphous substance as a starting substance directly into diamond under superhigh pressures and temperatures.例文帳に追加

また、スクライビングホイール50の成形に用いられる多結晶体ダイヤモンドは、微細な結晶粒組織、または非晶質を有するグラファイト型炭素物質を出発物質として、超高圧高温下で直接的にダイヤモンドに変換燒結されたものである。 - 特許庁

例文

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、p型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁

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