defect‐free siliconの英語

To provide a method for stably and fast manufacturing a defect-free silicon single crystal having a predetermined controlled oxygen concentration.例文帳に追加

所定の酸素濃度に制御された無欠陥のシリコン単結晶を安定して高速で製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for stably imparting wide defect-free region to a silicon single crystal wafer produced by Czochralski method.例文帳に追加

チュクラルスキー法により生産されるシリコン単結晶ウェーハに対して広い無欠陥領域を安定して付与することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal by a CZ method for stably manufacturing a crystal with high yield and a higher collection rate of a defect-free portion.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、歩留まりよく安定して、無欠陥部分の採取率をより高くできる製造方法の提供する。 - 特許庁

When a silicon single crystal is pulled from a silicon melt, a defect-free crystal is produced stably with good reproducibility by controlling the relation between the form of solid-liquid interface being the boundary of the silicon melt and the silicon single crystal and the temperature distribution at the side face or the single crystal being pulled to be optimum.例文帳に追加

シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるにあたって、シリコン融液とシリコン単結晶の境界である固液界面の形状と、引き上げ中の単結晶の側面における温度分布と、の関係を適切に調整することによって、無欠陥結晶を安定かつ再現性よく製造することを可能にする。 - 特許庁

The silicon single crystal having the defect-free area is manufactured by flowing electric currents through an upper coil 13a and a lower coil 13b in directions opposite to each other to apply a cusp magnetic field to silicon melt M contained in a crucible 11.例文帳に追加

上コイル１３ａ及び下コイル１３ｂは、無欠陥領域を有するシリコン単結晶を製造するために、互いに逆向きの電流が流されて坩堝１１に収容されたシリコン融液Ｍにカスプ磁場を印加する。 - 特許庁

This silicon wafer is a silicon wafer which is obtained from a silicon single crystal rod grown by doping with nitrogen by CZ method, has 2-12 μm defect-free layer depth after gettering heat treatment and after device production and heat treatment of silicon wafer and 1×108 to 2×1010 defects/cm3 internal fine defect density after gettering heat treatment and after device production and heat treatment.例文帳に追加

ＣＺ法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒から得たシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが２〜１２μｍであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が１×１０^８〜２×１０^１０ケ／cm^3であるシリコンウエーハ。 - 特許庁

In growing a silicon single crystal 15, in order to control the V/G value with high accuracy so as to yield a desired defect-free region, it is important to conduct the pulling at a constant pulling rate.例文帳に追加

シリコン単結晶１５の育成にあたって、所望の無欠陥領域が得られるようにＶ／Ｇを高精度に制御するためには、一定の引上速度で引上げを行うことが重要である。 - 特許庁

To provide a manufacturing device and a manufacturing method for a semiconductor single crystal by which a silicon single crystal having a desired defect region or a desired defect-free region can be easily manufactured in high yield.例文帳に追加

所望の欠陥領域あるいは所望の無欠陥領域を有するシリコン単結晶を容易に歩留まりよく製造できる半導体単結晶の製造装置及び製造方法を実現すること。 - 特許庁