dangling bondとは 意味・読み方・使い方

The SiO_2 film formed by the normal-pressure CVD method is an SiO_2 film of high quality in which generation of an Si-H bond and a dangling bond is suppressed.例文帳に追加

常圧ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＯ_2膜は、Ｓｉ−Ｈ結合や未結合手の発生が抑制された高品質のＳｉＯ_2膜である。 - 特許庁

To suitably achieve a removal or a terminating of a dangling bond in a semiconductor layer in a TFT.例文帳に追加

ＴＦＴにおける半導体層中のダングリングボンドについて、その除去ないし終端を好適に実現する。 - 特許庁

The first insulating layer 18 contains a termination material that terminates a dangling bond the semiconductor layer 4 has.例文帳に追加

第１絶縁層１８は、半導体層４が有するダングリングボンドを終端させる終端材料を含んでいる。 - 特許庁

To enhance the lifetime effectively by reducing dangling bond effectively through heat treatment control different from conventional one.例文帳に追加

従来と異なる熱処理制御により、ダングリングボンドを有効に低減して、ライフタイムを効果的に向上させる。 - 特許庁

This forms the second layer polymethylsilsesquioxane (MSQ) film 11b, including hardly little dangling bond or Si-OH base.例文帳に追加

これにより、ダングリングボンドやＳｉ−ＯＨ基が殆ど無い、第２層ポリメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）膜１１ｂを成膜する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has a small leakage current by terminating a dangling bond of a semiconductor interface.例文帳に追加

半導体界面のダングリングボンドを終端させて、リーク電流が少ない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The amorphous thin film 41 consists of i-type a-Si:H whose dangling bond is 1×10^18 cm^-3 or more.例文帳に追加

非晶質薄膜４１は、ダングリングボンドが１×１０^１８ｃｍ^−３以上であるｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

Thus, a reliable semiconductor device is manufactured on which the dangling bond of a gate insulating film pattern 112 is cured.例文帳に追加

これによって、ゲート絶縁膜パターン１１２のダングリングボンドがキュアリングされ、信頼性のある半導体装置が製造される。 - 特許庁