crystal growth systemとは 意味・読み方・使い方

SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, APPLICATION SYSTEM, CRYSTAL GROWTH METHOD, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体レーザ素子、応用システム、結晶成長方法、及び化合物半導体素子 - 特許庁

III-GROUP NITRIDE CRYSTAL, METHOD FOR CRYSTAL GROWTH THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶およびＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法および半導体デバイスおよびシステム - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING CRYSTAL GROWTH, CRYSTALLIZATION, STRUCTURE AND PHASE IN MATERIAL AND SYSTEM例文帳に追加

物質及びシステムにおける結晶成長、結晶化、構造及び相をコントロールする方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of ZnTe system compound semiconductor single crystal capable of growth of the ZnTe system compound semiconductor single crystal with high carrier density.例文帳に追加

高キャリア濃度のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の成長を可能にするＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a GaN system semiconductor having a low dislocation area with few crystal defects by epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長により結晶欠陥の少ない低転位領域を有するＧａＮ系半導体を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal substrate for sharply improving the growth property of a gallium nitride system compound semiconductor.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の成長性を大幅に改善することができる単結晶基板を提供すること。 - 特許庁

A crystal oxychalcogenide thin film 104 is grown on the single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 by the solution vaporization CVD method from an early phase of the epitaxial growth.例文帳に追加

この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a vapor growth system and a vapor growth method which can improve the uniformity of a temperature distribution in the plane of a heated wafer and can evenly generate a crystal film.例文帳に追加

加熱されるウェハ面内の温度分布の均一性を向上させ、結晶膜を均一に生成させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁