crystal growth surfaceとは 意味・読み方・使い方

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1.例文帳に追加

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。 - 特許庁

Thus, the convex surface growth of the SiC single crystal is enabled.例文帳に追加

これにより、ＳｉＣ単結晶を凸面成長させることが可能となる。 - 特許庁

Thus, the convex surface growth of the SiC single crystal is enabled.例文帳に追加

これにより、ＳｉＣ単結晶を凸面成長させることが可能となる。 - 特許庁

In the growth method of the 3C-SiC crystal, the (111) surface of the 3C-SiC crystal is subjected to epitaxial vapor growth almost parallel on the (110) surface of an Si crystal substrate.例文帳に追加

Ｓｉ結晶基板の（１１０）面上に３Ｃ−ＳｉＣ結晶の（１１１）面を略平行にエピタキシャル気相成長させる３Ｃ−ＳｉＣ結晶の成長方法である。 - 特許庁

To carry out epitaxial growth of crystalline silicon nitride film on the surface of Si single crystal.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶表面に結晶性窒化ケイ素膜をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SURFACE-MODIFIED SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE, SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH EPITAXIAL GROWTH LAYER, SEMICONDUCTOR CHIP, SEED SUBSTRATE FOR SINGLE CRYSTAL SiC GROWTH, AND POLYCRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH SINGLE CRYSTAL GROWTH LAYER例文帳に追加

表面改質単結晶ＳｉＣ基板、エピ成長層付き単結晶ＳｉＣ基板、半導体チップ、単結晶ＳｉＣ成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶ＳｉＣ基板の製造方法 - 特許庁

The seed crystal substrate is immersed into a melt containing a flux and a raw material for the single crystal, and then the nitride single crystal is grown on the growth surface of the seed crystal substrate in a growth vessel.例文帳に追加

育成容器内でフラックスおよび単結晶原料を含む融液に種結晶基板を浸漬し、この種結晶基板の育成面上に窒化物単結晶を育成する。 - 特許庁

To make the property value within the growth surface of a crystal film formed by epitaxial growth closer to a uniform value.例文帳に追加

エピタキシャル成長により形成された結晶膜の成長面内における物性値を均一な値に近づける。 - 特許庁