crystal growth from solutionとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a single crystal capable of obtaining a quality sapphire single crystal restrained from generation of an inclusion caused by the reaction between crucible material or carbon vapor and melt solution of the raw material during the growth of the single crystal.例文帳に追加

単結晶の育成中に、ルツボ材料やカーボン蒸気と原料融液との反応に起因する内包物の生成が抑制され、高品質なサファイア単結晶を得ることができる単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a good quality silicon carbide (SiC) single crystal at a high growth rate by using a relatively easily available raw material so as to realize mass production, in the manufacturing of the SiC single crystal by a solution growth method, comprising growing the SiC single crystal on a seed crystal substrate from a solution obtained by dissolving SiC into a solvent comprising a molten Si alloy.例文帳に追加

融解したＳｉ合金の溶媒中にＳｉＣ（炭化珪素）が溶解した溶液から種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、量産化を実現するため、比較的容易に入手できる原料を用いて、良質の炭化珪素単結晶を高い成長速度で安定して製造できる方法を提供する。 - 特許庁

A crystal growth device is provided to grow a crystal while dipping a seed crystal 7 into a source material solution 8 in a crucible 1 placed in a furnace 5 and pulling it therefrom, wherein the axial center of a pulling stem 6 with the seed crystal 7 mounted on the distal end is deviated from the axial center of the furnace 5 and from the axial center of the crucible 1.例文帳に追加

炉５内に設置されたるつぼ１内の原料溶液８に、種子結晶７を浸して引き上げながら結晶を育成する結晶成長装置において、種子結晶７が先端に取り付けられた引き上げ軸６の軸中心が、炉５の軸中心およびるつぼ１の軸中心からずれている。 - 特許庁

In the method for growing a group III nitride crystal from a solution 25 in which at least an alkali metal, a group III metal raw material and nitrogen are dissolved, the group III nitride crystal 29 is grown by incorporating a substance capable of accelerating the growth in the -c axis direction of the group III nitride crystal, in the solution 25.例文帳に追加

少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属原料と窒素とが溶解した溶液２５からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、前記溶液２５に、ＩＩＩ族窒化物結晶の−ｃ軸方向の成長を促進する物質を含ませて、ＩＩＩ族窒化物結晶２９を成長させる。 - 特許庁

In the method for growing the group III nitride crystal from a solution in which at least an alkali metal, a group III metal raw material and nitrogen are dissolved, the group III nitride crystal 29 is grown by incorporating a substance for increasing the growth speed in the direction parallel to the c-axis of the group III nitride crystal higher than that in the direction perpendicular to the c-axis into the solution.例文帳に追加

少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属原料と窒素とが溶解した溶液からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、前記溶液に、ＩＩＩ族窒化物結晶のｃ軸に平行な方向の成長速度をｃ軸に垂直な方向の成長速度よりも速くさせる物質を含ませて、ＩＩＩ族窒化物結晶２９を成長させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the KNbO_3 single crystal thin film comprises a coating process for coating an SrTiO_3 single crystal substrate 11 with liquid drops of an aqueous solution containing KNbO_3 by a liquid drop discharge method and a deposition process for depositing the potassium niobate single crystal layer 12 from the applied liquid drops by epitaxial growth.例文帳に追加

ＫＮｂＯ_３単結晶薄膜の製造方法は、液滴吐出法によってＫＮｂＯ_３を含む水溶液の液滴をＳｒＴｉＯ_３単結晶基板１１上に塗布する塗布工程と、塗布された液滴からニオブ酸カリウム単結晶層１２をエピタキシャル成長によって析出する析出工程とを備えているものとした。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of silicon carbide single crystal having high quality at a high growing speed and stably using a raw material that is comparatively easily available for realizing the mass production, in manufacturing of silicon carbide single crystal by a liquid phase growth method in which the SiC single crystal is grown on a seed crystal substrate from a solution that is obtained by dissolving SiC in a solvent of a molten Si alloy.例文帳に追加

融解したＳｉ合金の溶媒中にＳｉＣが溶解した溶液から、種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる液相成長法による炭化珪素単結晶の製造において、量産化を実現するため、比較的容易に入手できる原料を用いて、良質の炭化珪素単結晶を高い成長速度で安定して製造できる方法を提供する。 - 特許庁

In the growing process, Ga element is supplied from the GaN substrate 10 in a solution of Ga element and the flux, consequently lowering of the Ga concentration in the flux associated with the growth in the surface side can be suppressed, the ratio of Ga element in the flux can be made constant, and flux-constituting elements such as Na or Li can be prevented from being taken into the crystal.例文帳に追加

成長工程において、Ｇａ元素とフラックスとの溶液では、Ｇａ元素がＧａＮ基板１０から供給されるので、表面側成長に伴うフラックス中のＧａ濃度の低下を抑制でき、フラックス中のＧａ元素比を一定にすることができ、ＮａやＬｉなどのフラックス構成元素が結晶中に取り込まれるのを防止することができる。 - 特許庁