critical configurationとは意味・読み方・使い方

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機械工学英和和英辞典での「critical configuration」の意味

critical configuration

臨界配置

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「critical configuration」の部分一致の例文検索結果

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例文

With such a configuration, appropriate data diffusion is achieved without requiring an excessive critical path, resulting in a configuration exhibiting high implementation efficiency and safety.例文帳に追加

本構成により、クリティカルパスを過大にすることなく適切なデータ拡散が実現され、実装効率および安全性の高い構成を実現することができる。 - 特許庁

With this configuration, suitable data spreading is actualized without making critical path excessive and then the configuration is obtained which is high in packaging efficiency and safety.例文帳に追加

Further, the output of the F/F4 is fed back via a signal FB, thus assembling a critical path ring oscillator configuration that is self-oscillated in a critical path.例文帳に追加

さらに，信号ＦＢを介してＦ／Ｆ４の出力をＦ／Ｆ２に負帰還することで、クリティカルパスで自励発振するクリティカルパス・リングオシレータ構成を組むことが可能となる。 - 特許庁

To maintain a critical operation of a sub-circuit, even when an output voltage rises for some reason by attaining a control system, using a simple configuration.例文帳に追加

簡易な構成で制御系を実現し、何らかの要因で出力電圧が上昇した場合においても、副回路の臨界動作を維持する。 - 特許庁

In the case of a configuration access from a PCI bus 101, a configuration access response instruction control part 107 outputs a response instruction to respond to the configuration access or a non-response instruction not to respond to the PCI bus interface control part 103 in response to the holding status of the critical fault information in the nonvolatile memory 106.例文帳に追加

コンフィギュレーションアクセス応答指示制御部１０７は、ＰＣＩバス１０１からのコンフィギュレーションアクセスに際し、不揮発性メモリ１０６の致命的障害情報の保持状況により、ＰＣＩバスインタフェース制御部１０３に対して、コンフィギュレーションアクセスに応答するための応答指示、または、応答しないための非応答指を出力する。 - 特許庁

To provide a multi-tap controller of high reliability with a simple circuit configuration, capable of preventing occurrence of on/off oscillation at a switching part caused by application of a constant critical value to the switching part.例文帳に追加

回路構成が容易で且つ高い信頼性が得られて、スイッチング部に一定臨界値が印加されることによるスイッチング部のオン/オフ振動の発生を防止できる、マルチタップ制御装置を提供すること。 - 特許庁

例文

The present invention relates to a system and a method for calibration of lithographic process, and according to this method, a polynomial fit is calculated about a nominal configuration of an optical system while a critical dimension with respect to the other constitution can be estimated employing the polynomial fit.例文帳に追加

リソグラフィプロセスの較正のためのシステム及び方法であって、それにより、光学システムの公称構成について多項式フィットが計算され、それを使用して他の構成に関するクリティカルディメンションを推定することができる。 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「critical configuration」の意味

critical configuration

臨界配置

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「critical configuration」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 11件

例文

To provide a circuit configuration and an inspection method thereof in which a digital circuit is packaged in a wafer-state system LSI, a fault in a digital circuit part to most become a critical path therein is easily verified, an inspection time is shortened and further, a die size is reduced.例文帳に追加

ウエハ状態でのシステムＬＳＩにおいて、デジタル回路を搭載し、その中でも最もクリティカルパスとなるデジタル回路部の故障検証を容易に実施し、かつ検査時間の短縮化を図り、加えてダイサイズの縮小化を可能にする回路構成とその検査方法を提供すること。 - 特許庁

According to this configuration, a leaking magnetic field is attenuated by a plurality of Type-2 superconductor layers bit by bit and not allowed to leak to the outside even if a magnetic field having a strength over the lower critical magnetic field HC1 of the Type-2 superconductor is transmitted to the core.例文帳に追加

すなわち、芯材３１の外側に複数の第二種超伝導体層３２、３３を設けることにより、その第二種超伝導体の下部臨界磁界Ｈ_C1以上の強さを有する磁界が芯材に伝達されても、漏洩する磁界を複数の第二種超伝導体層で順次減衰させて外部へ漏洩させない。 - 特許庁

The voids are of a size, a shape and a configuration to assure that the dissipative zones deform inelastically when a critical stress is reached, thereby developing the action of a structural fuse, preventing the occurrence of stress and strain demands sufficient to cause fracture of the connection welds or adjacent heat-affected zones.例文帳に追加

空所は、臨界応力に達した時、分散型領域が非弾性的に変形することを保証するサイズと形状と構成のものであり、それによって構造的なヒューズの作用を発展させ、溶接接合部または隣接する熱影響部の破壊を生じさせるのに充分な応力及びひずみ必要量の発生を防止する。 - 特許庁

例文

In an epitaxial wafer for HBT of InGaP/GaAs or AlGaAs/GaAs, the collector layer 18 is made to have a super-lattice structure composed of a semiconductor layer of AlGaInP or the like whose critical electrical field strength is higher than that of GaAs and a GaAs layer, or a configuration where one or more semiconductor layers of AlGaInP, InGaP, or InGaAsP are inserted.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ系又はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系のＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、そのコレクタ層１８を、ＧａＡｓより臨界電界強度の大きいＡｌＧａＩｎＰ等の半導体層とＧａＡｓ層から成る超格子構造とするか、又はＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰのいずれかから成る半導体層を、単層もしくは複数層挿入した構成とする。 - 特許庁

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