collector-base breakdown voltageとは 意味・読み方・使い方

An emitter E, a collector C1, and a sub collector C2 are composed of an n-channel region, and the breakdown voltage between the sub collector C2 and a base B is higher than a breakdown voltage between the collector C1 and the base B.例文帳に追加

エミッタＥ、コレクタＣ１及びサブコレクタＣ２はｎ型領域からなり、サブコレクタＣ２−ベースＢ間の降伏電圧は、コレクタＣ１−ベースＢ間の降伏電圧より高い。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a hetero-junction bipolar transistor which is capable of improving a base-collector breakdown voltage without changing a collector layer in overall thickness.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、コレクタ層の総厚さを変えずに、ベース・コレクタ耐圧を向上させる。 - 特許庁

To provide a high frequency power amplifier which can improve breakdown resistance by realizing B-class and C-class operation even by a transistor which has low collector-base breakdown voltage.例文帳に追加

低いコレクタ−ベース間耐圧を持つトランジスタでもＢ級、Ｃ級動作を実現し、耐破壊性を向上した高周波電力増幅器を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent the breakdown voltage between an emitter and a collector and a breakdown yield from lowering by forming a base region on the surface of a semiconductor substrate other than a selective oxidation silicon film formation region and forming a second-conductive type emitter region in the base region.例文帳に追加

超高速動作用の微細な構造とするために、選択酸化シリコン膜とエミッタ領域が接してもエミッタ−コレクタ間の耐圧や耐圧歩留りが劣化することがない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since there is the conductive film covering the sides of the collector layer and the base layer, it is possible to reduce concentration of electric fields around the sides of the collector layer and the base layer, and to improve the breakdown voltage of the transistor.例文帳に追加

本発明によれば、コレクタ層及びベース層の側面を覆う導電性膜を有するので、コレクタ層及びベース層の側面付近の電界集中を緩和することができ、トランジスタの耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

To solve a problem that in an electrostatic protective circuit in which a collector and an emitter are connected to a power supply terminal, if an excessive power supply voltage is applied, the increase of a base current and the increase of a collector current because of breakdown cause positive feedback, resulting in the burnout of a transistor by the large extent increase of the collector current.例文帳に追加

電源端子にコレクタとエミッタが接続された静電保護回路では、過大な電源電圧が印加されると、ブレークダウンによるベース電流の増加とコレクタ電流の増加が正帰還を起こし、コレクタ電流が大幅に増加してトランジスタを焼損してしまうという課題を解決する。 - 特許庁

Thus, since a valence band energy difference ΔEv between the emitter layer 14 and the base layer 13, and a valence band energy difference ΔEv between the collector layer 12 and the base layer 13 are increased, both the breakdown voltage and the current gain are increased.例文帳に追加

これにより、エミッタ層１４とベース層１３との間のバレンスバンドのエネルギー差ΔＥ_V 、及びコレクタ層１２とベース層１３との間のバレンスバンドのエネルギー差ΔＥ_V が大きくなるため、耐圧及び電流利得が共に増大する。 - 特許庁