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collector capacitanceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 コレクタキャパシタンス; コレクタ容量
「collector capacitance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 60件
This capacitor converts a major part of the gate-collector capacitance into collector-emitter capacitance and gate-emitter capacitance, thereby reducing effective gate-collector capacitance.例文帳に追加
このキャパシタにより、ゲート−コレクタ間容量の大部分をコレクタ−エミッタ間容量およびゲート−エミッタ間容量に変換し、実効的なゲート−コレクタ間容量を低減させる。 - 特許庁
To increase a capacitance ratio between the capacitance between the gate and the emitter and the gate-collector capacitance, in an insulated gate bipolar transistor having a trench gate structure.例文帳に追加
トレンチゲート構造を有するIGBTにおいて、GE間容量とGC間容量との容量比を大きくすること。 - 特許庁
Collector/base capacitance Ccb is increased by forming parasitic capacitance between a capacitance regulating wire 11 connected with a base pad 7 and an N^+ collector substrate through an insulating film 3 and an N collector substrate.例文帳に追加
ベースパッド7に接続された容量調整用配線11が、絶縁膜3およびNコレクタ基板を挟んで、N^+コレクタ基板との間に寄生容量を形成することで、コレクタ−ベース間容量Ccbを増加させる。 - 特許庁
In an integrated bi-polar circuit element, a stepped collector dopant profile reduces a transit time and a parasitic capacitance between an emitter and a collector due to a minimum increase of the parasitic capacitance.例文帳に追加
集積バイポーラ回路素子において、階段状のコレクタ・ドーパント・プロファイルは、寄生キャパシタンスの最小の増加により、エミッタ・コレクタ間通過時間及び寄生抵抗を低減する。 - 特許庁
The logic circuit 20 sets the capacitance value of the variable capacitance 18 larger when a collector voltage applied to the collector voltage terminal Vc is higher than a predetermined voltage compared to the one when the collector voltage is at the predetermined voltage or lower.例文帳に追加
ロジック回路20は、コレクタ電圧端子Vcに印加されたコレクタ電圧が所定電圧より高い場合に、コレクタ電圧が所定電圧以下の場合よりも可変容量18の容量値を大きくする。 - 特許庁
The stepped collector dopant profile only gives the lowest effect against a capacitance the collector and the base outside an intrinsic region of the element.例文帳に追加
階段状コレクタ・ドーパント・プロファイルは、素子の真性領域の外側のコレクタ・ベース間キャパシタンスに対しては、最小の影響しか与えない。 - 特許庁
To provide an intake system for an engine provided with a main collector 5 and a sub-collector 7 connected to it through a collector capacity changing valve 9 capable of preventing reduction of intake air quantity when the collector capacitance selector valve 9 is opened by reduction of pressure of the sub-collector 7 by more than a prescribed value to pressure of the main collector 5.例文帳に追加
エンジンの吸気系のメインコレクタ5と、これにコレクタ容量切換弁9を介して接続されるサブコレクタ7とを備える場合に、メインコレクタ5の圧力に対し、サブコレクタ7の圧力が所定値以上低下することにより、コレクタ容量切換弁9が開いたときに吸入空気量が低下するのを防止する。 - 特許庁
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「collector capacitance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 60件
Consequently, the parasitic capacitance between the region 5b and a collector is reduced, and an operation at a high speed is enabled.例文帳に追加
このため、外部ベース領域5bとコレクタとの間の寄生容量が低減され、高速動作が可能となる。 - 特許庁
To provide a silicon bipolar transistor which is made higher in frequency by reducing the capacitance between the base and collector of the transistor.例文帳に追加
シリコンバイポーラトランジスタの高周波化にはベース−コレクタ間の容量を減少させることが重要である。 - 特許庁
To improve high frequency characteristic by reducing capacitance between a base and a collector, in a semiconductor device (bipolar transistor).例文帳に追加
半導体装置(バイポーラトランジスタ)において、ベースコレクタ間容量を低くして高周波特性を良好にする。 - 特許庁
The pair differential transistors is biased such that a collector-base junction capacitance of each of the differential transistors becomes a junction capacitance in a quasi-saturation region.例文帳に追加
一対の差動トランジスタは、当該一対の差動トランジスタそれぞれのコレクタ−ベース間の接合容量が準飽和領域の接合容量となるように、バイアスされている。 - 特許庁
The insulation film layer 20 is formed between the first collector layer 14 and the base layer 22 or between the first collector layer 14 and the base extraction layer 25, whereby junction capacitance between the base and the collector is reduced.例文帳に追加
第1コレクタ層14とベース層22の間、又は第1コレクタ層14とベース引き出し層25の間に、絶縁膜層20が形成されていることにより、ベース・コレクタ間の接合容量を低減させる。 - 特許庁
Due to such a structure, a base-collector junction capacitance C_BC and a base-emitter junction capacitance C_BE are significantly reduced, and the high frequency characteristics of the bipolar transistor can be improved.例文帳に追加
このような構成とすることにより、ベース・コレクタ接合容量C_BCおよびベース・エミッタ接合容量C_BEが大幅に低減され、バイポーラトランジスタの高周波特性を向上させることが可能となる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and its manufacturing method, with which parasitic capacitance between a collector and a base can be suppressed optimally.例文帳に追加
コレクタ−ベース間の寄生容量を好適に抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a hetero-junction bipolar transistor (HBT) having a structure that can be reduced in base-collector capacitance and base resistance.例文帳に追加
ベース−コレクタ容量及びベース抵抗を低減できる構造を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を提供する。 - 特許庁
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