charge-storage transistorとは 意味・読み方・使い方

The second transistor has: a third gate insulating layer; the second gate charge storage layer; and a fourth gate insulating layer.例文帳に追加

第２のトランジスタは、第３のゲート絶縁層と、第２のゲート電荷蓄積層と、第４のゲート絶縁層とを有する。 - 特許庁

To provide a high-speed optical semiconductor relay which discharges a gate storage charge of an MOS transistor with a high current.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート蓄積電荷の放電を大電流で行う高速光半導体リレーを提供する。 - 特許庁

A charging transistor 24 is interposed between a charge storage capacitor 28 and an FD part 29 for achieving a global shutter function, and the charging transistor 24 charges the charge storage capacitor 24 with a current corresponding to the charge of the FD part 29.例文帳に追加

グローバルシャッタ機能を実現するための電荷蓄積用キャパシタ２８とＦＤ部２９との間に充電トランジスタ２４を介在させるとともに、この充電トランジスタ２４によってＦＤ部２９の電荷に応じた電流にて電荷蓄積用キャパシタ２４を充電する。 - 特許庁

The first transistor has: a first gate insulating layer; a first gate charge storage layer; and a second gate insulating layer.例文帳に追加

第１のトランジスタは、第１のゲート絶縁層と、第１のゲート電荷蓄積層と、第２のゲート絶縁層とを有する。 - 特許庁

In the charge storage layer 3B of a memory transistor 1, for example, electrons are injected at writing and holes are injected easily.例文帳に追加

メモリトランジスタ１の電荷蓄積層３Ｂに、たとえば、書き込み時に電子を注入し、消去時に正孔を注入する。 - 特許庁

The present invention provides an on-chip circuit and a testing method which evaluate transistor electric charge transfer performance and electric charge storage capability of a DRAM cell in an real operating environment.例文帳に追加

本発明は、実動作環境におけるＤＲＡＭセルのトランジスタ電荷転送性能および電荷保持能力を評価するオン・チップ回路およびテスト方法を提供する。 - 特許庁

At least the one transistor of at least the one nonvolatile storage cell has: a first gate insulating layer 22a'; a gate charge storage layer 22b' having charge storage capability formed on the first gate insulating layer 22a'; and a second gate insulating layer 22c' formed on the gate charge storage layer 22b'.例文帳に追加

前記少なくとも１つの不揮発性記憶セルの前記少なくとも１つのトランジスタは、第１のゲート絶縁層（２２ａ’）と、前記第１のゲート絶縁層（２２ａ’）の上に形成された電荷蓄積能力を有するゲート電荷蓄積層（２２ｂ’）と、前記ゲート電荷蓄積層（２２ｂ’）の上に形成された第２のゲート絶縁層（２２ｃ’）とを有する。 - 特許庁

In the nonvolatile memory transistor, threshold voltage is made low by erasure processing to discharge an electron from an electrical charge storage area and the threshold voltage is made high by program processing to inject the electron into the electrical charge storage area.例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタは電荷蓄積領域からエレクトロンを放出させる消去処理によって閾値電圧が低くされ、電荷蓄積領域にエレクトロンを注入するプログラム処理によって閾値電圧が高くされる。 - 特許庁