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bulk technologyとは 意味・読み方・使い方

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「bulk technology」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12



例文

An integrated circuit includes a bulk technology integrated circuit (bulk IC) having a bulk silicon layer and complementary MOSFET (CMOS) transistors fabricated thereon.例文帳に追加

集積回路は、バルクシリコン層及びバルクシリコン層の上に製造された相補型MOSFET(CMOS)トランジスタを有するバルク技術集積回路(バルクIC)を備えている。 - 特許庁

To provide a novel bulk element which can be used for a wide range of optical applications and electronic devices, utilizing a technology for forming a polarization inversion part in a ferroelectric bulk.例文帳に追加

強誘電体バルク中に分極反転部分を形成する技術を利用し、広範な光学用途、電子デバイス用途に使用可能な、新しいバルク素子を提供することである。 - 特許庁

MICROWAVE PACKAGE DEVICE INCLUDING FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR MOUNTED BY USING FLIP CHIP BONDING TECHNOLOGY AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

フリップ・チップ・ボンディング技術を利用して実装される薄膜バルク音響共鳴器を含むマイクロ波パッケージ装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a technology capable of being effectively applicable even to a superconducting bulk body wherein an unevenly captured magnetic field takes place.例文帳に追加

本発明は、捕捉磁場割れを生じている超電導バルク体についても有効に利用することができる技術の提供を目的とする。 - 特許庁

To obtain a microelectronic mechanical system (MEMS) element in which the quality of a mirror and the freedom for the designing of a mirror driving are enhanced by using the technology of a bulk micromachining or the like, and to obtain an optical device using the MEMS element.例文帳に追加

バルクマイクロマシニング等の技術を使用して、ミラーの品質およびミラーの駆動についての設計の自由度を高めたMEMS素子およびMEMS素子を使用した光デバイスを得る。 - 特許庁

To synthesize a cost effective catalyst precursor for use in homopolymerization or copolymerization of an olefin, which can produce an olefin having high bulk density and excellent morphology suitable for a vapor phase process technology.例文帳に追加

オレフィンの単独重合または共重合において、気相プロセス技術に適した高嵩密度および優れたモルホロジーを持つオレフィンを製造できる対費用効果的な触媒前駆体を合成する。 - 特許庁

例文

In a preferred forming process, the electrodeposition mold fabrication technology (e.g., selective deposition, bulk deposition, etching process and flattening process) and post deposition process (e.g., selective etching and/or final backfill process) are employed.例文帳に追加

好ましい形成プロセスでは、電着成型加工技術(例えば、選択的堆積、バルク堆積、エッチング作業、および平坦化作業)、及び、後堆積プロセス(例えば、選択的エッチング作業、および/または、裏込め作業)が用いられる。 - 特許庁

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「bulk technology」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12



例文

To a technology for manufacturing a bulk semiconductor film of composition having mismatching of a lattice constant with a substrate crystal that it is difficult to manufacture because of a limit of a critical thickness until now.例文帳に追加

本発明は、従来は臨界膜厚の制限を受けて作製が困難であった基板結晶とは大きな格子定数の不整合を有する組成の半導体バルク的薄膜を作製する技術を提供するものである。 - 特許庁

To provide a bale press which used the knotter technology even with a large press for industrial use of high output level and high pressing force by improving the bale press for bulk material to be pressed, i.e., non-bound material.例文帳に追加

ばらの、即ち締まりのないプレス材料用のベールプレスを改良して、高い出力レベル及び高いプレス力を有する産業用の大形プレスの場合にもノッター技術を使用できるように構成する。 - 特許庁

To realize optimum selection control to an ISDN line required for bulk transfer and important call control in response to a bypass circuit band with respect to a relay line backup technology using the ISDN line on the occurrence of a fault of a relay line between nodes or the like.例文帳に追加

ノード間中継線障害時等におけるISDN回線を使用した中継線バックアップ技術に関し、バルク転送に必要なISDN回線の最適な選択制御と、迂回路帯域に応じた重要呼制御を実現することにある。 - 特許庁

The film or the bulk body of the functional ceramic material, in which a third element is doped in such a large amount that cannot be doped by a conventional technology because of the deposition of a second phase, can be formed at a sufficiently high rate by a method comprising forcedly dissolving the third element to form a solid solution by rapid cooling and solidification using a thermal spray method.例文帳に追加

溶射法を用いた急冷凝固により第3元素を強制固溶させる方法により、従来技術では第2相の析出により不可能とされていた多量の第3元素をドープした機能性セラミックス材料の膜およびバルク体を、十分に速い速度で形成することができ、得られる機能性セラミックスは、第3元素の大量ドープによる導電率の向上や熱伝導率の低減が容易に達成できる。 - 特許庁

例文

The circuit elements and thin-film bulk elastic wave resonator are wired and connected by using ultra-fine processing technology.例文帳に追加

微細加工技術を用いて基板上にトランジスタやキャパシタンスの回路素子が形成された回路素子部と、回路素子部の上層であって基板及び該回路素子部と音響的に分離する為の高音響インピーダンス材料で構成される薄膜と低音響インピーダンス材料で構成される薄膜とを交互に積み重ねて構成された音響ミラー層と、該音響ミラー層の直上に薄膜形成技術を用いて形成された圧電体薄膜を上部電極層と下部電極層とで挟み込んだ構造とされかつ基板側と音響的に分離された薄膜バルク弾性波共振子とからなり、回路素子と薄膜バルク弾性波共振子とを微細加工技術を用いて配線接続する。 - 特許庁

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