buffer capとは 意味・読み方・使い方

This FET 1 is provided with a substrate 2, a buffer layer 3, a first doped layer 4, an undoped layer 5, a second doped layer 6, an undoped layer 7, a cap layer 8, and a surface layer 9.例文帳に追加

ＦＥＴ１は、基板２、バッファ層３、第１ドープ層４、アンドープ層５、第２ドープ層６、アンドープ層７、キャップ層８、および表面層９を有する。 - 特許庁

The cap layer 106 roughly matches the buffer 102 in a-axis lattice constant, and is constituted of GaN wherein the AlN mixed crystal ratio is lower than in the barrier layer 105.例文帳に追加

キャップ層１０６は、バッファ層１０２とａ軸格子定数がほぼ整合し、かつ、バリア層１０２よりもＡｌＮの混晶比が小さいＧａＮで構成される。 - 特許庁

Consequently, a buffer space which is connected to a suction pump 142 while unconnected to an ink ejection port of the face surface 22Ks is formed inside the cap frame 52.例文帳に追加

これにより、吸引ポンプ１４２につながる一方、フェイス面２２Ｋｓのインク吐出口にはつながらないバッファ空間がキャップフレーム５２の内部に形成される。 - 特許庁

The cap member 26 is fitted into a lower end part of the cylinder 2 and is fixed by a nut 25 to attach the fork bracket 24 to a hydraulic buffer 1.例文帳に追加

キャップ部材２６をシリンダ２の下端部に嵌合し、ナット２５によって固定することにより、フォークブラケット２４を油圧緩衝器１に取付ける。 - 特許庁

On an undoped GaN buffer layer 2, there are formed an n-type AlGaN electron-donor layer 3, and an n-type InAlGaN cap layer 4 successively.例文帳に追加

アンドープＧａＮバッファー層２の上に、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層３及びｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４が順に形成されている。 - 特許庁

The ink flowing into the buffer tank 92 is held in a position where its balance is kept by a fall and prevented from flowing back to the cap 52.例文帳に追加

バッファタンク９２に流入したインクは、水頭差によりバランスが保てる位置で保持されるので、キャップ５２内に逆流することが防止される。 - 特許庁

This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。 - 特許庁

The semiconductor layer 30 comprises an upper Si film 12 and an Si buffer layer 13, an SiGe film 14, and an Si cap layer 15 which are epitaxial-grown, respectively.例文帳に追加

半導体層３０は、上部Ｓｉ膜１２と、各々エピタキシャル成長されたＳｉバッファ層１３，ＳｉＧｅ膜１４，Ｓｉキャップ層１５とから構成されている。 - 特許庁