bias relationとは 意味・読み方・使い方

In addition, before the low concentration side adjusting processing (Step S5), the relative relation between electrifying bias and developing bias for maintaining the optimum contrast voltage is set in accordance with the attenuation characteristic of surface voltage of a photoreceptor 21.例文帳に追加

しかも、低濃度側調整処理（ステップＳ５）前に最適コントラスト電位を維持するための帯電バイアスと現像バイアスとの相対関係を感光体２１の表面電位の減衰特性に基づき設定している。 - 特許庁

The current output units 30, 32 controls the amplifiers AMP1, AMP2 so that the bias currents Ibias1, Ibias2 have a complementary relation.例文帳に追加

電流出力部３０、３２は、バイアス電流Ｉｂｉａｓ１、Ｉｂｉａｓ２が相補的な関係となるように増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２を制御する。 - 特許庁

Alternatively, it is constituted so that the relation between the saturation magnetization Ms_f of the free layer and the saturation magnetization Ms_b of the hard bias layer 11 satisfy Ms_f≤8*Ms_b.例文帳に追加

或いは、フリー層の飽和磁化Ｍｓ＿ｆと、ハードバイアス層１１の飽和磁化Ｍｓ＿ｂとの関係を、Ｍｓ＿ｆ≦０．８＊Ｍｓ＿ｂを満たすように構成する。 - 特許庁

Similarly, the current output units 34, 36 control the amplifiers AMP3, AMP4 so that the bias currents Ibias3, Ibias4 have a complementary relation.例文帳に追加

同様に、電流出力部３４、３６は、バイアス電流Ｉｂｉａｓ３、Ｉｂｉａｓ４が相補的な関係となるように増幅部ＡＭＰ３、ＡＭＰ４を制御する。 - 特許庁

A plurality of principal matrix axes have a given bias includ angle in relation one another, such that the matrix-like configuration is preferably a rhomboid-shaped configuration.例文帳に追加

複数の主マトリックス軸は、マトリックス状配置形態が好ましくは菱形形状であるように互いに対して所定の偏り角度を有する。 - 特許庁

Based on such relation, the target value Vtgt of the reverse contrast potential is set in accordance with the operation amount of the photoreceptor at the point of time when the image is formed at such a time, and the developing bias and charging bias are controlled to maintain the target value.例文帳に追加

この関係に基づき、画像を形成するときにはその時点の感光体の稼動量に応じて逆コントラスト電位差の目標値Ｖtgtを設定し、この目標値を維持するように、現像バイアスおよび帯電バイアスを制御する。 - 特許庁

In the reverse bias application period, the potential of a power supply line (V) and the potential of a counter power source 109 are inverted in high/low relation and a reverse bias is applied to the light emitting element while a TFT 115 for erasure is held ON.例文帳に追加

なお逆バイアス印加期間においては、消去用ＴＦＴ１１５がオン状態を保持した状態で、電源供給線（Ｖ）の電位と、対向電源１０９の電位の高低を逆にして、発光素子に逆バイアスを印可する。 - 特許庁

The concentration distribution in a p-clad layer is measured by finding the relation between the reverse bias voltage and the depletion layer capacity immediately below the Schottky electrode 108.例文帳に追加

逆バイアス電圧とショットキ電極１０８直下の空乏層容量との関係を求めることにより、Ｐクラッド層中の不純物濃度分布を測定する。 - 特許庁