base nとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ベイスン
「base n」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1275件
Otherwise, numbers take the form [base#]n, where base is a decimal number between 2 and 64 representing the arithmetic base, and n is a number in that base.発音を聞く 例文帳に追加
ここで base は 2 から 64 の間の10 進数であり、算術的な意味での基数を表します。 - JM
When the differential value becomes larger than a concentration high threshold value, a concentration high signal is generated, a flap 34 is closed, and then the base value B(n) is calculated by an expression (4): B(n)=B(n-1)+k3[S(n)-B(n-1)]-k4[S(n)-S(n-5)].例文帳に追加
差分値が濃度高しきい値よりも大きくなると、濃度高信号を発生し、フラップ34を閉じ、以降、ベース値B(n)を式(4):B(n)=B(n-1)+k3[S(n)−B(n-1)]−k4[S(n)−S(n-5)]によって算出する。 - 特許庁
AMINE N-OXIDE BASE SURFACTANT例文帳に追加
アミンN−オキシド系界面活性剤 - 特許庁
A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加
N^+ドレイン層21上に第2のNベース層3及び第1のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁
ARITHMETIC OPERATING METHOD BY 2^N BASE USING N BIT OPERATION TABLE例文帳に追加
nビット演算表を用いた、2^n進法による演算処理方法 - 特許庁
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「base n」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1275件
As a result, the base electrode and the n-type emitter layer are formed away from the base electrode and the n-type emitter layer, and the base electrode and the n-type emitter layer do not come in contact with each other.例文帳に追加
その結果、ベース電極とn型エミッタ層とは離れて形成され、ベース電極とn型エミッタ層との接触は起こらない。 - 特許庁
The base station 10 is provided with N base station transmission/reception antennas 20.例文帳に追加
基地局10にN個の基地局送受信アンテナ20を設ける。 - 特許庁
Further, during an initial period after starting, the previous base value B(n-1) is corrected according to the formula: B(n-1)=B(n-1)+L(Na) and the base value B(n) is subsequently calculated and, further, a difference value D(n)=S(n)-B(n) is calculated.例文帳に追加
また、起動後の初期期間には、前回ベース値B(n−1)をB(n−1)=B(n−1)+L(Na)の式で補正してから、上記のベース値B(n)を求め、さらに、差分値D(n)=S(n)−B(n)を算出する。 - 特許庁
The soft recovery diode includes an n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 13 formed on the n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 14 formed on the n^- type base layer 13, and an n^+ type anode layer 15 formed on the n^- type base layer 14.例文帳に追加
n^+型半導体基板12と、上記n^+型半導体基板12上に形成されたn^−型ベース層13と、上記n^−型ベース層13上に形成されたn^−型ベース層14と、上記n^−型ベース層14上に形成されたp^+型アノード層15とを備える。 - 特許庁
Thereby, the n-type low concentration base layer 14 and the n-type extremely low concentration base layer 15 are formed.例文帳に追加
これにより、n型低濃度ベース層14およびn型極低濃度ベース層15が形成される。 - 特許庁
METHOD FOR REGENERATING Sm-Fe-N BASE ALLOY POWDER例文帳に追加
Sm−Fe−N系合金粉末の再生方法 - 特許庁
The N data streams may be received from a plurality of base stations, or a plurality of UEs.例文帳に追加
Nのデータストリームは、複数の基地局又は複数のUEから受信されてもよい。 - 特許庁
Carrier lifetime of the n^- type base layer 13 is made longer than that of the n^- type base layer 14.例文帳に追加
上記n^−型ベース層14のキャリア寿命よりもn^−型ベース層13のキャリア寿命を長くする。 - 特許庁
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