band gap stateとは 意味・読み方・使い方

Ultra-fine particles gallium nitride crystal characterized by providing the luminous band having a wavelength not longer than a wavelength corresponding to the band gap in the bulk state in terms of maximum luminous intensity by irradiation with excitation light having the wavelength range of 200 nm to 300 nm.例文帳に追加

２００ｎｍ〜３００ｎｍの波長範囲の励起光の照射により発光強度極大をバルク状態におけるバンドギャップに相当する波長以下の波長を有する発光帯を与えることを特徴とする窒化ガリウム結晶超微粒子。 - 特許庁

When a plurality of unit patterns U in which the switches are in an ON state are arranged from the side of a terminal point p_2; a current almost never flows to the unit patterns, and a band gap is formed there.例文帳に追加

スイッチＳＷをＯＮ状態にした単位パターンＵを終端点ｐ_2 の側から複数並べると、その単位パターンにはほとんど電流が流れなくなり、そこにはバンドギャップが形成される。 - 特許庁

When the diameter is widened, the expanded band 1 is made to fit a stopper 3B into the gap of the cutting section 2B of the circular member 2 in a rigid guide 3A, and an expanded state is fixed to curve to an upper side toward a plane C.例文帳に追加

拡張バンド１は、拡径の際には、剛性ガイド３Ａ内の環状部材２の切断部２Ｂ間にストッパー３Ｂが嵌込され、拡張状態が固定され、平面Ｃに対して上側に湾曲する。 - 特許庁

By arranging an inclined band gap layer 24 between an III-V group semiconductor layer 22 and an electrode layer 23, a more excellent state of contact is obtained between the above-mentioned semiconductor layer 22 and the electrode 23.例文帳に追加

傾斜バンドギャップ層（２４）を、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と電極層の間に配置することにより、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）と電極（２３）との間により優れた接触を得る。 - 特許庁

The method of regulating the temperature dependence of the junction barrier Schottky diode of a semiconductor material, having an energy band gap exceeding 2eV between a valence band and a conductive band includes a step of regulating an on-state resistance of the grid of a diode so as to obtain the temperature dependence of the diode characteristics that are suitable for the intended use, during the manufacturing of the diode.例文帳に追加

価電子帯と伝導帯との間に２ｅＶを超えるエネルギーギャップを有する半導体材料のジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法は、このダイオードの製造中に、意図された使用に適合するダイオードの特性の温度依存性を得るように、ダイオードのグリッド部のオン状態抵抗を調節することを含む。 - 特許庁

The defect of the refractive index periodic structure or another refractive index periodic structure is introduced into the photonic crystalline structure by the refractive index control means 103, by which a photonic band gap is changed and the state of incident light can be controlled.例文帳に追加

屈折率制御手段１０３により、フォトニック結晶構造中に屈折率周期構造の欠陥或いは別の屈折率周期構造が導入され、フォトニックバンドギャップが変化して入射光の状態を制御できる。 - 特許庁

To provide an optical element which can comparatively easily control a propagating state of an electromagnetic wave, being wavelength light with a photon energy lower than a band-gap energy of a semiconductor layer constituting an electromagnetic waveguide, and propagating through the waveguide or made to irradiate the waveguide, with an operation from the outside.例文帳に追加

電磁波導波路を構成する半導体層のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長光であって導波路を伝搬するか導波路上に照射される電磁波に対して、外部からの操作によって比較的容易に伝搬状態を制御できる光学素子である。 - 特許庁

To block harmful X rays and increase the light emission efficiency in a conventional deep UV source arranged so that an Al_xGa_1-xN/AlN multiple quantum well (MQW) layer of a wide band gap semiconductor having no harmful substance mercury is excited by an electron beam to obtain deep UV light from the multiple quantum well staying in its excitation state.例文帳に追加

有害物質水銀を含まないワイドバンドギャップ半導体のAl_xGa_1-xN/AlN多重量子井戸（MQW）層を電子線で励起して励起状態の多重量子井戸から深紫外光を得る従来の深紫外光源において、有害なＸ線を阻止して、発光効率を高める。 - 特許庁