avalanche breakdownとは 意味・読み方・使い方

Avalanche breakdown arises under the bottom faces of the base diffusion regions 17a, however, avalanche current does not flow in a high-resistance portion immediately below source diffusion regions 21 of the base diffusion regions 17a, resulting in a high breakdown voltage.例文帳に追加

ベース拡散領域１７ａ底面下でアバランシェ降伏が生じ、ベース拡散領域１７ａのソース拡散領域２１直下の高抵抗部分をアバランシェ電流が流れないので、破壊耐量が高い。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage ESD protection diode which can be formed using the same manufacturing process as for the high breakdown voltage transistor to be protected with the high avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量が高く、保護する高耐圧トランジスタと同製造工程を用いて形成できる高耐圧ESD保護ダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving avalanche breakdown tolerance while suppressing an increase in element area.例文帳に追加

素子面積増大を抑制しつつ、アバランシェ耐圧が向上可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of having a high breakdown voltage and high avalanche resistance, and achieving low on-state resistance.例文帳に追加

高耐圧、高アバランシェ耐量、および低オン抵抗を実現できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reliable superjunction semiconductor device which has high L load avalanche withstand (breakdown withstand) amount.例文帳に追加

Ｌ負荷アバランシェ耐量（破壊耐量）が高く、信頼性が高い超接合半導体素子を提供する。 - 特許庁

To enhance avalanche breakdown strength of a super-junction semiconductor device in which parallel pn layers are structured and tradeoff relation between breakdown voltage and ON resistance is remarkably improved.例文帳に追加

並列ｐｎ層を有し、耐圧とオン抵抗とのトレードオフ関係を大幅に改善する超接合半導体素子において、アバランシェ耐量の向上を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an avalanche breakdown is stably generated in a pn junction when a breakdown voltage is applied, and to provided a method of manufacturing the same.例文帳に追加

降伏電圧が印加されたときにｐｎ接合になだれ降伏が安定して生じる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a protective circuit part 100 has a Zener diode 8, the diode 8 can be made to break out a Zener breakdown before a parasitic diode 38 breaks out an avalanche breakdown.例文帳に追加

保護回路部１００はツェナーダイオード８を有するので、寄生ダイオード３８がアバランシェブレークダウンする前に、ツェナーダイオード８をツェナーブレークダウンさせることができる。 - 特許庁