atomic planeとは 意味・読み方・使い方

The catalyst body comprises a compound particle 1 composed of ceria and the like having a quasi-stable plane 1a, which is a plane having a quasi-stable plane direction, a catalyst 2 composed of the metal or the metal oxide such as Pt and Rh by succeeding an atomic arrangement of the quasi-stable plane direction on the quasi-stable plane 1a in this compound particle 1.例文帳に追加

準安定な面方位を持つ面である準安定面１ａを有するセリアなどからなる化合物粒子１を有し、この化合物粒子１における準安定面１ａの上に、当該準安定な面方位の原子配列の状態を継承した状態で、ＰｔやＲｈなどの金属または金属酸化物からなる触媒２が形成されている。 - 特許庁

To improve the uniformity of in-plane film thickness distribution while avoiding a change in throughput and film quality in a film forming method using a vertical tube ALD (atomic layer deposition) device.例文帳に追加

縦型チューブＡＬＤ（原子層堆積）装置を用いる成膜方法において、スループットや膜質の変化を回避しながら面内膜厚分布均一性を向上させる。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor crystal substrate 12 has a warpage in which an atomic plane composed of group III elements becomes a convex shape and the warpage ratio is at most 1×10^-3.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１２は、ＩＩＩ族元素からなる原子面が凸状となる反りを有し、かつ反り比が１×１０^-3以下である。 - 特許庁

To provide a gallium oxide single crystal substrate having a principal plane flattened in atomic level, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板、及び原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The amorphous carbon orientation film uses C as the main component and includes 3-20 atom% N, and >0 atom% and ≤20 atom% H and has in the range of 70 atomic percent to less than 100 atomic percent of carbon (Csp^2) having an sp^2 hybrid orbital when the total amount of carbon is 100 atomic percent, wherein the (002) plane of graphite is oriented along the thickness direction.例文帳に追加

配向性非晶質炭素膜は、Ｃを主成分とし、Ｎを３〜２０原子％、Ｈを０原子％を超え２０原子％以下含み、かつ、Ｃの全体量を１００原子％としたときにｓｐ^２混成軌道をもつ炭素（Ｃｓｐ^２）が７０原子％以上１００原子％未満であって、グラファイトの（００２）面が厚さ方向に沿って配向する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a low-resistance electrode is relatively easily formed on an N atomic plane of a gallium nitride-based compound semiconductor layer, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

窒化ガリウム系の化合物半導体層のＮ原子面上に比較的簡単に低抵抗な電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The AlGaN layer whose surface is substantially flat on atomic level is formed after a buffer layer having a stress relaxation effect and AlGaN layer are formed on a template substrate to which an in-plane compression stress is applied and on which a surface layer being substantially flat on atomic level is formed.例文帳に追加

面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板の上に、応力緩和効果を有するバッファ層をした上で、ＡｌＧａＮ層を形成するようにすることで、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 - 特許庁

In the ohmic electrode 6, a main component of a contact electrode layer 6a being in contact with the N atomic plane 9 is one selected from a group consisting of Ni, Au, Pd, Mo, Ru, Te, Rh, Co, Re, Os, I and Pt.例文帳に追加

オーミック電極６においてＮ原子面９に接している接触電極層６ａの主成分はＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される１つである。 - 特許庁