atomic‐scaleの英語

To provide a method of forming a strip-like single-layer graphite thin film having an edge structure set in good order in an atomic scale.例文帳に追加

原子スケールで整った端構造を持つ短冊状の単層グラファイト薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Further, an optical device or an electronic device element of the nitride semiconductor device is fabricated by using a linear step of the atomic scale.例文帳に追加

さらに、原子スケールの線状ステップを利用して窒化半導体素子の光デバイス又は電子デバイス素子を作製する。 - 特許庁

The ability to quantify chemical information at a near-atomic scale (including light elements such as C, O and N) makes EFTEM an important tool for materials characterization. 発音を聞く 例文帳に追加

原子に近いスケールで化学的情報を定量化する能力(C、O、Nなどの軽い元素を含む)は、EFTEMを材料評価のための重要な道具(手法)にする。 - 科学技術論文動詞集

To provide a method for forming a flat face on an atomic scale in the surface of a metallic substrate by an electrochemical method capable of flattening on an electronic level having a practically requred width.例文帳に追加

実用上必要な広さを有する電子レベルでの平坦化が可能な電気化学的方法による金属基板表面における原子スケールの平坦面の形成方法を提供する。 - 特許庁

Using a sapphire slightly-tilted substrate having an off-angle of 0.5° or less, a plurality of nitride semiconductor films having flatness in an atomic scale are fabricated by a molecular beam epitaxy method to manufacture a nitride semiconductor device.例文帳に追加

オフ角が０．５度以下であるサファイヤ微傾斜基板を用い、分子線エピタキシー法により複数の窒化半導体膜を原子スケールで平坦な膜を作製して窒化物半導体素子を製造する。 - 特許庁

The invention utilizes combinations of relatively low particle energy (e.g., below the sputter threshold of the material) and near normal incidence angles, which achieve improved smoothing of a surface on an atomic scale with substantially no etching of the surface.例文帳に追加

本発明は、比較的低い粒子エネルギー（例えば素材のスパッタ閾値を下回る）および垂直に近い入射角を組み合わせて利用するものであり、原子スケールの表面平滑化を改善することができ、表面が実質上エッチングされなくなる。 - 特許庁

In the case an alkali metal is deposited on a carrier of a TiO2-Al2O3 compounded oxide in which Ti is highly dispersed in atomic scale, the Ti/Al mole ratio is controlled to be within (1/12)-(1/18) and in the case an alkaline earth metal is deposited, the Ti/Al mole ratio is controlled to be within (1/4)-(1/6).例文帳に追加

Tiが原子レベルで高分散したTiO_2-Al_2O_3の複合酸化物からなる担体に、アルカリ金属を担持した場合は担体のTi／Alモル比を１／12〜１／18の範囲とし、アルカリ土類金属を担持した場合は担体のTi／Alモル比を１／４〜１／６とした。 - 特許庁

In this case, when the voltage applied between the surface 1a of the substrate 1 and the needle-shaped member 2 is changed by a variable power source 3, the wavelength zone of the light L emitted from the atomic-scale structure formed on the surface 1a of the substrate 1 is changed.例文帳に追加

ここで、可変電源３により基材１の表面１ａと針状部材２との間に印加される電圧を変化させると、基材１の表面１ａに形成された原子スケールの構造物から放出される光Ｌの波長域が変化する。 - 特許庁