atmospheric pressure heliumとは 意味・読み方・使い方

According to this plasma processing method, a chlorine-containing gas containing helium, chlorine, nitrogen, and argon is introduced into a reaction vessel 1 from a gas introduction line 8, and the pressure inside the reaction vessel 1 is made the same as atmospheric pressure or close to it.例文帳に追加

このプラズマ加工方法では、ガス導入ライン８から反応容器１の中にヘリウム、塩素、窒素、アルゴンを含む塩素含有ガスが導入され反応容器１の内部の圧力は大気圧または大気圧近傍の圧力とされる。 - 特許庁

In such an accelerator, when returning the inside of the vacuum container 16 back to the atmospheric pressure by leading a vent gas 18 into the vacuum container 16 in vacuum, the helium gas is used as the vent gas 18.例文帳に追加

このような装置において、真空状態にある真空容器１６内にベントガス１８を導入して真空容器１６内を大気圧状態に戻す際に、ベントガス１８としてヘリウムガスを用いる。 - 特許庁

The space above the surface level of the liquid nitrogen in the liquid nitrogen container is pressurized to the atmospheric pressure or higher by using a gas, for example, helium gas having a lower condensation temperature than the nitrogen gas has.例文帳に追加

液体窒素容器内の液体窒素の液面上の空間を、窒素ガスよりも凝縮温度が低いガス、例えばヘリウムガスによって大気圧もしくは大気圧以上の圧力に加圧するようにした。 - 特許庁

In a vacuum arc melting method for high melting point metal, a high melting point metal ingot is cooled under the helium atmosphere where helium gas is introduced in a melting furnace to be decompressed below an atmospheric pressure after completing vacuum arc melting of high melting point metal.例文帳に追加

高融点金属の真空アーク溶解において、前記溶解を終了させた後、溶解炉内にヘリウムガスを導入して大気圧より減圧したヘリウム雰囲気下で、前記高融点金属インゴットを冷却することを特徴とする高融点金属の真空アーク溶解方法。 - 特許庁

A reactive gas containing helium is supplied to a treatment chamber surrounded by a plurality of juxtaposed waveguides and a wall surface, microwaves are supplied to a space that is interposed between the juxtaposed waveguides to generate plasma while the pressure of the treatment chamber is held at an atmospheric pressure or a sub-atmospheric pressure, and a microcrystalline semiconductor layer made of a microcrystalline semiconductor is deposited over a substrate placed in the treatment chamber.例文帳に追加

並置された複数の導波管と、壁面で囲まれた処理室にヘリウムを含む反応性気体を供給し、処理室内の圧力を大気圧若しくは準大気圧に保持しつつ、並置された導波管で挟まれた空間にマイクロ波を供給してプラズマを生成し、処理室内に載置された基板上に微結晶半導体でなる微結晶半導体層を堆積する。 - 特許庁

Gas to be used for the atmospheric pressure is gaseous mixture which contains as principal component at least one selected from a group of inert gas consisting of helium, neon, argon, krypton, xenon, radon, and nitrogen, and contains ethylene and oxygen.例文帳に追加

その大気圧プラズマに用いるガスは、ヘリウム，ネオン，アルゴン，クリプトン，キセノン，ラドンおよび窒素からなる不活性ガス群から選ばれる少なくとも一つを主成分とし、それにエチレンおよび酸素が含有されている混合ガスを用いる。 - 特許庁

This method for producing a SiC shaped article, characterized by bringing an expanded graphite sheet having a bulk density 0.5 to 1.6 into contact with molten silicon and reacting them at a temperature not lower than the melting point of the silicon in the inert atmosphere of nitrogen, helium, argon or the like under the atmospheric pressure or under a reduced pressure of ≤1 arm to produce to SiC product.例文帳に追加

かさ比重０．５〜１．６の膨張黒鉛シ−トを窒素，ヘリウム，アルゴン等の不活性雰囲気中で、大気圧又は１気圧以下の減圧下、シリコンの融点以上の温度で溶融シリコンと接触させて反応させ、ＳｉＣ化するＳｉＣ成型体の製造方法。 - 特許庁

To put in practice a discharge system and a discharge method which generate uniform and active discharge without using special and expensive gas like He(helium) around the atmospheric pressure, and to provide a continuum manufacturing method capable of giving a uniformed surface treatment to low heat-resistant insulating plastic and the like.例文帳に追加

大気圧近傍でHe等の特殊かつ高価な気体を用いることなく、均一かつ活性な放電を生成する放電装置および放電方法を実現し、耐熱性の低い絶縁性のプラスチック等にも均一な表面処理を施せる連続体の製造方法を提供すること。 - 特許庁