ashing processとは 意味・読み方・使い方

Then the resist mask 26 is removed by full-ashing in an oxygen plasma process.例文帳に追加

次に、レジストマスク２６を酸素プラズマ処理によるフルアッシングにより除去する。 - 特許庁

Then, a process gas for ashing is brought into contact with the resist layer 93 by being expelled through a discharge space 13 at near atmospheric pressure (atmospheric pressure remote plasma ashing process).例文帳に追加

次に、アッシング用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間１３に通して吹出し、レジスト層９３に接触させる（大気圧リモートプラズマアッシング工程）。 - 特許庁

In a process S108, plasma ashing for removing etching residues is started.例文帳に追加

工程Ｓ１０８では、エッチング残さを除去するためのプラズマアッシングを開始する。 - 特許庁

To provide a plasma ashing method and a plasma ashing apparatus capable of promptly removing resist residue while preventing fault occurrence due to the resist residue by applying a plasma ashing process to an ion-implanted resist.例文帳に追加

イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。 - 特許庁

On the other hand, it promotes the growth of the foreign matter so that an ashing process excluding H_2O is provided.例文帳に追加

その反面、異物の成長を促すので、Ｈ_２Ｏを除いたアッシング処理を設ける。 - 特許庁

In order to make the ashing rate constant, the reduction is indirectly monitored on the number of oxygen atoms in the ashing gas inside a process chamber 101, and the ashing gas is fed in volume equivalent to the reduced number of the oxygen atom.例文帳に追加

アッシングレートを一定にするために、プロセスチャンバ１０１内のアッシングガス中の酸素原子の数の減少を間接的にモニタして、減少した酸素原子の数に相当するアッシングガスを供給する。 - 特許庁

The resist processing apparatus and a resist processing method are constituted in such a way that processing is implemented by a first process of ashing chiefly taking oxygen ion and a second process of ashing chiefly taking oxygen radical.例文帳に追加

酸素イオンを主体としたアッシングの第一の工程と酸素ラジカルを主体としたアッシングの第二の工程によって処理を行うレジスト処理装置およびレジスト処理方法。 - 特許庁

To make it possible to decrease the variations in ashing rates in a resist ashing treatment of a batch type in a production process for semiconductor products.例文帳に追加

半導体製品製造工程におけるバッチ式のレジストアッシング処理において、アッシングレートのばらつきを低減させることが可能なアッシング装置を提供する。 - 特許庁