ammonia of crystallizationとは 意味・読み方・使い方

The recovery apparatus which recovers fluorine and ammonia from raw water containing fluorine and ammonia includes: a crystallization reaction vessel for forming crystals of calcium fluoride by adding a calcium agent to raw water; a calcium agent adding means to add the calcium agent to the raw water; and an ammonia concentrating means to concentrate ammonia contained in the crystallization-treated water from which fluorine has been removed in the crystallization reaction vessel.例文帳に追加

フッ素およびアンモニアを含む原水からフッ素およびアンモニアを回収する回収装置であって、原水にカルシウム剤を添加してフッ化カルシウムの結晶を生成させるための晶析反応槽と、カルシウム剤を原水に添加するカルシウム剤添加手段と、晶析反応槽においてフッ素が除去された晶析処理水に含まれるアンモニアを濃縮するアンモニア濃縮手段と、を備えるフッ素およびアンモニアの回収装置である。 - 特許庁

The reproducing method of the absorbent in which absorbing ability thereof is reproduced by heating ammonia and/or ammonium ion absorbed absorbent at 55°C to 350°C to release ammonia and crystallization water, is also provided.例文帳に追加

また、アンモニアおよび／またはアンモニウムイオンを吸収した吸収剤を、５５℃〜３５０℃で加熱してアンモニアおよび結晶水を放出させることにより吸収能力の再生を行う再生方法。 - 特許庁

The method of obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride comprises a step of crystallization on a seed of mono-crystalline gallium-containing nitride from a supercritical ammonia-containing solution, wherein at process conditions the molar ratio of acceptor dopant ions to the supercritical ammonia-containing solvent is at least 0.0001.例文帳に追加

超臨界のアンモニア含有溶液から単結晶ガリウム含有窒化物のシード上への晶出(結晶化)工程から構成され、アクセプタドーパントイオンの超臨界のアンモニア含有溶液に対するモル比は少なくとも0.0001である。 - 特許庁

H-MAP particles, which are obtained by heating particles of MAP (magnesium ammonium phosphate hexahydrate) to discharge ammonia and water of crystallization in MPA particles, are brought into contact with waste water containing at least either one of ammonia and ammonium ions to make ammonia and ammonium ions absorbed to the particles to remove and recover them.例文帳に追加

リン酸マグネシウムアンモニウム６水塩：ＭＡＰ粒子を加熱することによってＭＡＰ粒子内のアンモニア及び結晶水を放出させた粒子：Ｈ−ＭＡＰをアンモニア及びアンモニウムイオンの少くともいずれかを含む廃水と接触させ、これを粒子に吸収して除去、回収する。 - 特許庁

Thereafter, the substrate is heat-treated at a temperature of ≥500°C and not more than the crystallization temperature of the metal silicificated film in an ammonia-contained atmosphere to turn the metal silicificated film into a metal silicate nitride film.例文帳に追加

その後、アンモニアを含む雰囲気中において５００℃以上且つ上記の結晶化温度以下で熱処理を行い、金属珪酸化膜を金属珪酸窒化膜にする。 - 特許庁

To provide an operating method of an ammonia formation apparatus which prevents a choking at a heating part due to crystallization of an aqueous urea solution and formation of unnecessary intermediates from occurring.例文帳に追加

尿素水の結晶化や不要な中間生成物の発生による加熱部の詰まりを防止し、またこの詰まりを解消することのできるアンモニア生成装置の運転方法を提供すること。 - 特許庁

Thermal crystallization employing a metallic element is effected after a semiconductor film is exposed to a plasma atmosphere of gas principally comprising one kind or a plurality of kinds selected from a rare gas element, nitrogen and ammonia.例文帳に追加

本発明は、希ガス元素、窒素、およびアンモニアから選ばれた一種または複数種を主成分とする気体をプラズマ化した雰囲気中に、半導体膜を曝す処理を行なってから、金属元素を用いた熱結晶化法を行なうことを特徴とする。 - 特許庁