alternate memoryとは 意味・読み方・使い方

In the decoding of compressed data, the Huffman decoded data written in the 2-port memory 302 in the zigzag scanning sequence or alternate scanning sequence are read in the columnar sequence from the 2-port memory 302.例文帳に追加

圧縮データの復号化処理では、２ポートのメモリ３０２にジグザグスキャン順序またはオルタネートスキャン順序で書き込まれたハフマン復号化データを、そのメモリ３０２から列方向順序で読み出す。 - 特許庁

A writing device 2 acquires at first defective area information from the memory 1 of an NAND type flash memory, and prepares an error control data 52 including alternative information indicating a relation between a defective area and an alternate area.例文帳に追加

書込装置２は、まず、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリであるメモリ１から不良領域情報を取得し、不良領域と代替領域との関係を示す代替情報を含むエラーコントロールデータ５２を作成する。 - 特許庁

The data written in the memory 302 in the columnar sequence are read in a zigzag scanning sequence or alternate scanning sequence and outputted to a Huffman coding section 303.例文帳に追加

メモリ３０２に列方向順序で書き込まれたデータをジグザグスキャン順序またはオルタネートスキャン順序で読み出し、ハフマン符号化処理部３０３へ出力する。 - 特許庁

Only subset of possible prefix lengths are accommodated by the hash tables, a remainder of prefixes is handled by the content addressable memory or a similar alternate address lookup facility.例文帳に追加

可能なプレフィックス長のサブセットのみがハッシュテーブルにより収容され、プレフィックスの残部は内容参照可能メモリ又は同様の代替的なアドレスルックアップファシリティにより取扱われる。 - 特許庁

The device is provided with a control circuit 36, the contents of (n-1) stages of a binary counter 24 allotted to the most significant bit are stored in memory cells of the first (n-1) pieces of the EEPROM, the contents of nth or (n+1)-th memory cell are varied with alternate cycles.例文帳に追加

制御回路（３６）を設け、最上位ビットに割り当てた２進カウンタ（２４）のｎ−１段の内容をＥＥＰＲＯＭの最初のｎ−１個のメモリセルに記憶し、ｎ番目または（ｎ＋１）番目のメモリセルの内容を交互するサイクルで変える。 - 特許庁

The method of providing block state information in a semiconductor memory device including a flash memory comprises storing block state information on the bad block of the flash memory and on the alternate block for replacing the bad block, and providing the block state information to a user when a specific command is inputted.例文帳に追加

フラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法において、前記フラッシュメモリの不良ブロックとこれを代替するための代替ブロックに対するブロック状態情報を記憶し、特定コマンドが入力されたときに前記ブロック状態情報を使用者に提供する。 - 特許庁

In a non-volatile memory 14 to be used for an IC card C, an alternate area is preliminarily prepared for the storage area of data whose rewrite frequency is high, and when the writing error of data is occurred in the storage area, the area in which the data are recorded is changed to the alternate area so that the data can be recorded.例文帳に追加

ＩＣカードＣに用いられる不揮発性メモリ１４において、予め書換え頻度の高いデータの記憶領域に対して代替領域を用意しておき、上記記憶領域へのデータの書込みエラーが発生した場合には当該データを記録する領域を代替領域に変更して記録するようにしたものである。 - 特許庁

To provide a method of providing block state information in a semiconductor memory device including a flash memory to provide state information on an alternate block with which a user can replace a bad block so that the user can execute an operation to maintain the stability of data.例文帳に追加

不良ブロックを代替できる代替ブロックの状態情報を提供することにより、使用者がデータに対する安定性を確保するための行為を行うことができるフラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法を提供することにある。 - 特許庁