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alloy transistorとは 意味・読み方・使い方
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「alloy transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 58件
The base of the bipolar transistor is made of an SiGe alloy.例文帳に追加
バイポーラトランジスタのベースはSiGe合金で形成される。 - 特許庁
Ag ALLOY, Ag ALLOY THIN FILM AND, THIN-FILM TRANSISTOR USING THE SAME, AND THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND MANUFACTURING METHOD OF THEM例文帳に追加
Ag系合金とAg系合金薄膜、およびそれを用いた薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイとそれらの製造方法 - 特許庁
Al ALLOY FILM FOR DISPLAY, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY例文帳に追加
表示装置用Al合金膜、薄膜トランジスタ基板および表示装置 - 特許庁
THIN FILM TRANSISTOR USING Ag ALLOY THIN FILM, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
Ag系合金薄膜を用いた薄膜トランジスタとその製造方法 - 特許庁
TRANSISTOR WHERE INDIUM IS INJECTED INTO Si-Ge ALLOY AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
Si−Ge合金にインジウムを注入したトランジスタ及び製造方法 - 特許庁
To provide a spin transistor using a Heusler alloy layer high in spin polarizability.例文帳に追加
スピン分極率の高いホイスラー合金層を用いたスピントランジスタを提供する。 - 特許庁
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「alloy transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 58件
THIN FILM TRANSISTOR USING INTEGRATED THIN FILM OF MOW/AL OR AL ALLOY/MOW, THIN FILM TRANSISTOR ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
MoW/AlまたはAl合金/MoWの積層薄膜を用いた薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタアレイとその製造方法 - 特許庁
In this semiconductor device having the P-channel transistor 1 and N-channel transistor 2, the gate electrode 21 of the transistor 1 is composed of rhenium and the gate electrode 31 of the transistor 2 is composed of a rhenium-titanium alloy.例文帳に追加
Pチャネルトランジスタ1とNチャネルトランジスタ2とを有する半導体装置であって、Pチャネルトランジスタ1のゲート電極21はレニウムからなり、Nチャネルトランジスタ2のゲート電極31はレニウムチタン合金からなるものである。 - 特許庁
AL ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加
表示装置用Al合金膜、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置 - 特許庁
LAMINATE INCLUDING HEUSLER ALLOY, MAGNETIC RESISTANCE ELEMENT USING LAMINATE, SPIN TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加
ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いた磁気抵抗素子、スピントランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
A thin film transistor substrate is provided with a semiconductor layer 33 of a thin film transistor, a source drain electrode 34, and a transparent pixel electrode 5, wherein the source drain electrode 34 is formed with an Al alloy film containing Ni of 0.1 to 6 atom% as an alloy component, and the Al alloy film is directly connected to the semiconductor layer 33 of the thin film transistor.例文帳に追加
薄膜トランジスタの半導体層33と、ソース−ドレイン電極34と、透明画素電極5とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極34は、合金成分としてNiを0.1〜6原子%含有するAl合金の薄膜からなり、Al合金の薄膜は薄膜トランジスタの半導体層33と直接接続している。 - 特許庁
At least the gate wire (including the gate terminal) in the thin-film transistor circuit device is configured so that the lower layer is made of aluminum or aluminum alloy and the upper layer is made of molybdenum alloy including niobium.例文帳に追加
薄膜トランジスタ回路装置の少なくともゲート配線(ゲート端子を含む)を下層をアルミニウム若しくはアルミニウム合金、上層をニオブを含むモリブデン合金とする。 - 特許庁
LAMINATE HAVING HEUSLER ALLOY, SPIN MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING THE LAMINATE, AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンMOS電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子 - 特許庁
To provide a copper alloy thin film for forming an interconnection and an electrode for flat panel display, using a thin film transistor (TFT) that is superior in adhesiveness, and to provide a sputtering target for forming the copper alloy thin film.例文帳に追加
TFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
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