active nitrogen speciesとは 意味・読み方・使い方

Use of active nitrogen enables the reduction of the growing temperature necessary for the growth of the nitride semiconductor layer 2 because there is no need for thermal activation of nitrogen species.例文帳に追加

活性窒素を用いれば、窒素種を熱活性化する必要がないため、窒化物半導体層２の成長に必要な成長温度を下げることができる。 - 特許庁

To provide a means capable of easily controlling the supply ratio of metal and active nitrogen species and forming a nitrogen semiconductor thin film having superior crystal quality and surface flatness for a method of manufacturing the nitride semiconductor thin film in which the metal and active nitrogen species are supplied onto a substrate to react with each other.例文帳に追加

基板上に金属と活性窒素種とを供給して反応させる窒化物半導体薄膜の製造方法において、金属と活性窒素種との供給比率を容易に制御可能とし、且つ、結晶品質や表面平坦性に優れた窒化物半導体薄膜を形成可能とする手段を提供する。 - 特許庁

When an insulating barrier layer 12 is formed on the surface of the lower-layer interconnect line 11, an SiCN film is formed, using organic silane 4 and the nitrogen active species as the reactive gas for film deposition.例文帳に追加

また、下層配線１１表面に形成する絶縁性バリア層１２の成膜は、有機シラン４と窒素活性種を成膜の反応ガスとしてＳｉＣＮ膜を形成する。 - 特許庁

The catalyst for removing a nitrogen oxide employs at least one species of catalytically active components selected from the group consisting of molybdenum, vanadium, tungsten, nickel, cobalt, iron, palladium, rhodium, ruthenium, platinum and iridium to treat a nitrogen oxide contained in a gas comprising the nitrogen oxide, oxygen, and hydrogen wherein the oxygen concentration is 0 to 5 vol.% by introducing a reducing substance thereinto.例文帳に追加

本発明は、窒素酸化物、酸素および水素を含むガスであって当該ガス中の酸素濃度が０〜５容量％である当該ガスに、還元物質を導入し、モリブデン、バナジウム、タングステン、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、白金およびイリジウムからなる群から選ばれる少なくとも一種である触媒活性成分を用いて当該窒素酸化物を処理することを特徴とする窒素酸化物除去用触媒である。 - 特許庁

At least one kind of gas among unreactive gas like argon, oxygen atom supply gas like oxygen and oxidizing gas like nitrogen oxide is activated in a remote plasma generator 12, and then the activated gas is supplied to the chamber 1 as the gas including active species, together with the halogen gas like boron trichloride.例文帳に追加

アルゴンなどの非反応性ガス、酸素などの酸素原子供給性ガスおよび窒素酸化物などの酸化性ガスの少なくとも１種をリモートプラズマ発生装置１２において活性化して、活性種を含むガスとし、このガスを三塩化ホウ素などのハロゲン系ガスとともチャンバ１に導入する。 - 特許庁

A gas of molecules containing hydrogen atoms with relatively low connection energy, fluorine atoms, and nitrogen atoms as components is used, thus achieving generation of chemical active species by at least giving energy which is nearly equal to the heating of the gas, generating a compound required for treatment, and hence treating the surface of an object to be machined.例文帳に追加

比較的結合エネルギーの低い水素原子、弗素原子、および窒素原子を構成要素として含む分子のガスを用いることで、化学的に活性な種の生成を少なくともガスの加熱程度のエネルギーを与えることにより達成し、処理に必要な化合物を生成させ、これにより被加工物表面の処理を行う。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a first layer made of a material containing silicon on a substrate; forming a second layer containing metal and nitrogen on the first layer; and exposing the second layer to active species that is obtained from atmospheric plasma containing a reducing gas.例文帳に追加

基体の上に、シリコンを含有する材料からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層の上に、金属と窒素とを含有する第２の層を形成する工程と、前記第２の層を、還元性ガスを含有する雰囲気のプラズマから得られる活性種に晒す工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor thin film includes a metal excessive supply process of excessively supplying indium exceeding a stoichiometry condition S, and a droplet conversion process of converting indium droplets 15 deposited on the substrate 10 in the metal excessive supply process into an indium nitride layer 16 by supplying the active nitrogen species 12 until the stoichiometry condition S is met.例文帳に追加

窒化物半導体薄膜の製造方法は、インジウムをストイキオメトリ条件Ｓを越えて過剰に供給する金属過剰供給工程と、該金属過剰供給工程で基板１０の上に析出したインジウムドロップレット１５を、活性窒素種１２をストイキオメトリ条件Ｓに達するまで供給することによってインジウムナイトライド層１６に転換するドロップレット転換工程と、を含む。 - 特許庁