a SiCとは 意味・読み方・使い方

To provide a high quality SiC single crystal substrate useful for enhancing the yield and stability of a device, a seed crystal for producing the high quality SiC single crystal substrate, and a method for producing the high quality SiC single crystal substrate.例文帳に追加

デバイスの歩留まり、安定性を高めるための、高品質SiC単結晶基板、高品質SiC単結晶基板製造用種結晶並びに高品質のSiC単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon carbide (SiC) wafer 32 has a four-layer structure consisting of a first SiC film 34 to a fourth SiC film 40.例文帳に追加

炭化ケイ素ウエハ３２は、第１ＳｉＣ膜３４〜第４ＳｉＣ膜４０を有する４層構造となっている。 - 特許庁

To provide a crucible for the growth of a SiC single crystal for producing a high quality SiC single crystal wafer which is reduced in transfer defect and has a large diameter, with high reproducibility.例文帳に追加

転位欠陥の少ない良質の大口径SiC単結晶ウェハを再現性良く製造するための、SiC単結晶育成用坩堝を提供する。 - 特許庁

When SiC substrate temperature is a high temperature in the order of 1800°C, the sublimation of SiC from a SiC substrate 10 is generated.例文帳に追加

ＳｉＣ基板温度が１８００℃程の高温では、ＳｉＣ基板１０からＳｉＣの昇華が発生する。 - 特許庁

In the inverter circuit 120, a parasitic diode 131 of the SiC-MOSFET 130 is used as a flywheel diode.例文帳に追加

インバータ回路（120）は、SiC-MOSFET（130）の寄生ダイオード（131）が還流ダイオードとして使用される。 - 特許庁

To provide a method for growing a single crystal SiC with a fast growth rate of the crystal.例文帳に追加

結晶の成長速度の速い単結晶SiCの成長方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent the crystallization of gaseous SiC by removing gaseous SiC in a surrounded furnace.例文帳に追加

包囲炉内のＳｉＣガスを除去し、ＳｉＣガスの結晶化を防ぐこと。 - 特許庁

This method for producing the α-SiC crystal comprises growing the α-SiC crystal on a substrate by a sublimation recrystallization method of an SiC powder.例文帳に追加

ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法である。 - 特許庁