WDRVとは 意味・読み方・使い方

This device is provided with a WDRV generator 11 receiving a decoding signal bMWDRV of plural addresses ADD0 and outputting a word line driving signal WDRV, and a word line driver 12 receiving a decoding signal bmWL of another plural addresses ADD1 and a word line driving signal WDRV and driving a word line WL.例文帳に追加

複数のアドレスＡＤＤ０のデコード信号ｂＭＷＤＲＶを受けて、ワード線駆動信号ＷＤＲＶを出力するＷＤＲＶジェネレータ１１と、別の複数のアドレスＡＤＤ１のデコード信号ｂＭＷＬとワード線駆動信号ＷＤＲＶを受けて、ワード線ＷＬを駆動するワード線ドライバ１２とを具備する。 - 特許庁

By reducing what is controlled by one line of Main Word in a WDRV basic CELL to only half of low-order 2-bit in Row address, an RA signal unified formerly at a boundary of the WDRV basic CELL is places at (the center) the inside of the basic CELL.例文帳に追加

ＷＤＲＶ基本ＣＥＬＬ内で１本のＭａｉｎＷｏｒｄが制御するものをＲｏｗアドレス下位２ｂｉｔの半分だけにすることにより、従来ＷＤＲＶ基本ＣＥＬＬの境界で共通化していたＲＡ信号を基本ＣＥＬＬ内部（中央）に配置した。 - 特許庁

When the data line BDE is driven by a write-in driver WDRV, the data line BDE is separated from the sense amplifier SA by inputting a control signal SEL ("H" level) to the transistor 61.例文帳に追加

データ線ＢＤＥが書込ドライバＷＤＲＶにより駆動される場合には制御信号ＳＥＬ（「Ｈ」レベル）を入力してデータ線ＢＤＥとセンスアンプＳＡとを分離する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a delaying means and if the write signal WE is generated, the output of an internal write control signal WDRV is delayed until the activation of the column activation signal ZCOLRE.例文帳に追加

本発明は遅延手段を備え、書き込み信号ＷＥが発生しても、カラム活性化信号ＺＣＯＬＲＥが活性化されるまで、内部書き込み制御信号ＷＤＲＶの出力を遅延させた。 - 特許庁

By wiring two lines of the Main Word so as to cross with each other, the other half of low-order 2-bit in the Row address is controlled by an adjoining basic CELL, and different two Main Words having the same low-order bit are contained in one WDRV basic CELL.例文帳に追加

また、２本のＭａｉｎＷｏｒｄを、交差させて配線することにより、Ｒｏｗアドレス下位２ｂｉｔの残り半分を隣の基本ＣＥＬＬで制御し、また同一の下位ｂｉｔを持つ異なる２つのＭａｉｎＷｏｒｄを１つのＷＤＲＶ基本ＣＥＬＬ内に持つ構成とした。 - 特許庁

As shown in Fig. 2 and 8, the distance between a reference point and an origin of RED as the left side of a CELL boundary of a WDRV for RED is made the origin of RED is, as this design is compared with the conventional design, made shorter by a+b when Tr interval is 2b and protruding width from the CELL boundary is (a).例文帳に追加

図２，図８より、ＲＥＤ用ＷＤＲＶのＣＥＬＬ境界の左側をＲＥＤ原点とした時の基準点からＲＥＤ原点の距離を従来案と発明案を比較すると、Ｔｒ間隔２ｂ，ＣＥＬＬ境界からの飛び出し幅ａとした時となりａ＋ｂの分だけ小さく構成できる。 - 特許庁