Vacuum permittivityとは 意味・読み方・使い方

A notched gate MOS element includes an encapsulated low- permittivity material or capsuled air or vacuum on the bottom of the notched gate.例文帳に追加

ノッチ付きゲートＭＯＳ素子が、カプセル化された低誘電材料またはカプセル化された空気若しくは真空を、ノッチ付きゲートの底部に含む。 - 特許庁

The insulation film is irradiated with ultraviolet rays in vacuum and a damaged layer generated by etching is restored, thus lowering permittivity and a refractive index.例文帳に追加

この絶縁膜に真空中でＵＶ照射を行い、エッチングにより生じたダメージ層を回復し、誘電率と屈折率を下げる。 - 特許庁

At this point, a pixel pitch is denoted as P, a total of overlapped capacity of the Sig line and the Vg line per one pixel as Ca, the overlapped area of the Sig line and the optoelectric converter per one pixel as S, the film width of the interlayer dielectric as d, a specific permittivity as ε, and a vacuum permittivity as ε_0.例文帳に追加

その際、画素ピッチをＰ、１画素におけるＳｉｇ線とＶｇ線の重なり容量の総和をＣａ、１画素におけるＳｉｇ線と光電変換素子の重なり面積をＳ、層間絶縁層の膜厚をｄ、比誘電率をε、真空誘電率をε０とする。 - 特許庁

When interconnect line holes and trenches are provided to the low-permittivity interlayer insulating film by etching through micro processing, a mixed gas of fluorocarbon gas, Ar, and NF_3 is introduced into a vacuum chamber for carrying out an etching operation.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する際に、フッ化炭素系ガス＋ＡｒにＮＦ_３を添加した混合ガスを真空チャンバ内に導入してエッチングする。 - 特許庁

The high-resistance layer 104 at the bottom of the via is eliminated by a thermal reduction method using reducing gas before film-forming the barrier metal on the low-permittivity insulating film 102 having a groove and a via, and the barrier metal 105 and copper as a plated seed layer are formed while retaining vacuum.例文帳に追加

溝とビアを有する低誘電率絶縁膜１０２上にバリアメタルを成膜する前に、ビア底の高抵抗層１０４を、還元性のガスを用いた熱還元法にて除去し、真空保持のまま、バリアメタル１０５、めっきのシード層としての銅を形成する。 - 特許庁

The value of the λ_min is expressed by λ=c_0/{ε_r^1/2×f_max}, wherein f_max is the maximum frequency of the signal passing through the wire 8, ε_r is a specific permittivity of a base material 4 covering around the wire 8, and c_0 is the velocity of light in vacuum.例文帳に追加

λ_ｍｉｎの値は、配線８を通過する信号の最大周波数ｆ_ｍａｘ、配線８の周囲を覆う基材４の比誘電率ε_ｒおよび真空中の光速度ｃ_０とを用いてλ＝ｃ_０／｛ε_ｒ^１／２×ｆ_ｍａｘ｝で表される。 - 特許庁

To provide a silicon oxide film forming method where explosion can be prevented when a silicon oxide film is formed, the silicon oxide film can be lessened in permittivity and improved in coverage without additionally supplying a carbon fluoride gas such as CF4, and furthermore reaction products can be prevented from being deposited on the inner wall of a vacuum vessel.例文帳に追加

成膜時における爆発を防止し、かつＣＦ_4のようなフッ化炭素ガスを別途供給することなく誘電率の低減、被覆性の向上を図ることができ、さらに反応生成物が真空容器の内壁に付着するのを防止することが可能なシリコン酸化膜の形成方法を提供しようとするものである。 - 特許庁