V-drainとは 意味・読み方・使い方

In an OFF state, for 0 V of the gate electrode 20 and source electrode 21, the voltage to be from several hundreds V to several K V is applied to the drain electrode 22, and the high voltage is applied to a depletion layer of the low-density N type epitaxial layer 11 below the P type well layer 12 to disconnect between the source electrode 21 and drain electrode 22.例文帳に追加

ＯＦＦ時は、ゲート電極２０及びソース電極２１の０Ｖに対して、ドレイン電極２２に数１００Ｖ〜数ＫＶが印加され、Ｐ型ウェル層１２下の低濃度Ｎ型エピ層１１の空乏層にその高電圧が加わり、ソース電極２１及びドレイン電極２２間が遮断される。 - 特許庁

To provide a construction method of a V-shaped drain gutter and construction blocks to facilitate the separation and demolition in the case of demolition in a trench on the ground surface excavated in a V-shape.例文帳に追加

Ｖ字状に掘削した土面の溝に、解体時の分離解体が容易にできるＶ字状排水溝の施工方法及び施工用ブロックを提供する。 - 特許庁

The evaporation body 27 for absorbing and evaporating drain water is stored inside the evaporation pan 25, and an inverted V-shaped siphon tube 29 for sending the drain water within the drain pan 23 to the evaporation pan 25 is arranged on a left wall 23a of the drain pan 23.例文帳に追加

そして、本発明では、蒸発皿２５内に、ドレン水を吸収して蒸発させるための蒸発体２７が収容され、排水受皿２３の左側壁２３ａに、排水受皿２３内のドレン水を蒸発皿２５に送るための逆Ｕ字状のサイフォン管２９が配置される。 - 特許庁

To provide a J-FET which can sufficiently turn off by a negative gate bias of a few volts and reduce the capacitance between the gate and drain.例文帳に追加

数Vの負のゲートバイアスで十分オフ状態を実現でき、さらにゲート/ドレイン間の容量を低減できるJFETの提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a group III-V channel and a group IV source and drain, and to provide also a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族チャネルとＩＶ族ソース−ドレインとを有する半導体デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, even if the drain voltage VD is raised to, for example, 40 V, the VG-ID property will not deteriorate.例文帳に追加

この結果、ドレイン電圧ＶＤを例えば４０Ｖと上げても、ＶＧ−ＩＤ特性が劣化しないようにすることができる。 - 特許庁

At an erasure verify time after the erasure operation, the row select circuit 3 applies 3 V to selected predetermined word lines WL and, the column select circuit 4 applies 1 V to the source side of the selected predetermined bit lines BL and 0 V to the drain side.例文帳に追加

この消去動作後の消去ベリファイ時に、行選択回路３は、選択された所定のワード線ＷＬに３Ｖ印加し、列選択回路４は、選択された所定のビット線ＢＬのソース側に１Ｖ、ドレイン側に０Ｖを印加する。 - 特許庁

To surely lead condensate dropping from U-shaped piping, provided on one side of a fin-tube heat exchanger disposed in a V-shape, to a drain pan.例文帳に追加

Ｖ字状に配置されたフィンチューブ型の熱交換器の一側のＵ字配管から滴下する結露水を確実にドレンパンまで導く。 - 特許庁