Upper Memory Blocksとは 意味・読み方・使い方

In particular, the upper memory for storing motion vectors of peripheral macro blocks is effectively structured to minimize the memory size.例文帳に追加

特に、周辺マクロブロックの動きベクタを貯蔵する上側メモリを効果的に構造化してメモリのサイズを最小化することができる。 - 特許庁

The memory cell group block of the cross point constitution is controlled by divided right and left word line control blocks and divided upper and lower bit line control blocks and a switch group block.例文帳に追加

クロスポイント構成のメモリセル群ブロックを左右２個分けたワード線制御ブロックと上下２個に分けたビット線制御ブロックとスイッチ群ブロックによって制御する。 - 特許庁

A memory cell array 1 has a plurality of memory cells MT including a floating gate electrode FG located at the upper part of the well and a control gate electrode CG located at its upper side, and data are written therein for each page configured of the plurality of memory cells connected in series, and it includes the plurality of blocks which are configured of the plurality of pages and are erasure units of the data.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、ウェルの上方のフローティングゲート電極ＦＧとその上方のコントロールゲート電極ＣＧとを含む複数のメモリセルＭＴを有し、直列接続された複数のメモリセルからなるページごとにデータを書き込まれ、複数のページからなりデータの消去単位である複数のブロックを有する。 - 特許庁

Therefore, in the nonvolatile semiconductor memory, it becomes profitable remarkably in layout aspect more than a comparative example by the fact that upper bit lines and lower bit lines share voltage control blocks.例文帳に追加

したがって、本発明の不揮発性半導体メモリ装置では、上部のビット線と下部のビット線が電圧制御ブロックを共有することにより、レイアウトの面で比較例より著しく有利になる。 - 特許庁

The lines of a group among the memory cell arrays selected by the prescribed line address signal X11 and X12 on an upper side are divided into an odd number of the blocks and the bit map of the prescribed line address signal groups X6 to X9 on a lower side has symmetry with the odd number of the blocks as repeating units.例文帳に追加

ここで、上位側の所定の行アドレス信号Ｘ１１，Ｘ１２により選択される前記メモリセルアレイ内の一群の行が奇数個のブロックに分割され、該奇数個のブロックを繰り返し単位として、下位側の所定の行アドレス信号群Ｘ６〜Ｘ９のビットマップが対称性を有する。 - 特許庁

A semiconductor device includes: first and second blocks having a plurality of memory cells MT installed in a semiconductor substrate 11 and a plurality of selection transistors ST2 serially connected to one ends of the current paths of the plurality of memory cells MT; an embedded wiring layer 32; and an upper layer wiring layer SL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板１１に設けられた複数のメモリセルＭＴと、複数のメモリセルＭＴの電流経路の一端に直列に接続された複数の選択トランジスタＳＴ２とを有する第１及び第２のブロックと、埋め込み配線層３２と、上層配線層ＳＬとを含む。 - 特許庁

A flash memory having hierarchical bit line configuration is provided with column reset/bit line test transistor regions 4a commonly to a plurality of cell blocks 3a sharing upper layer bit lines MBL0, MBL1, etc., so that data lines DL connected with sense amplifiers can be selectively disconnected from the upper layer bit lines.例文帳に追加

階層ビット線構成を有するフラッシュメモリにおいて、上層ビット線ＭＢＬ０，ＭＢＬ１，…を共有している複数のセルブロック３ａに対して共通にカラムリセット兼ビット線テストトランジスタ領域４ａを設け、センスアンプが接続されるデータ線ＤＬを上層ビット線から選択的に切り離し得るようにした。 - 特許庁