ULSIとは 意味・読み方・使い方

ELECTROLESS COPPER PLATING LIQUID, ELECTROLESS COPPER PLATING METHOD, AND ULSI COPPER WIRING FORMATION METHOD例文帳に追加

無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法及びＵＬＳＩ銅配線形成方法 - 特許庁

CONDUCTIVE BARRIER FILM FORMING MATERIAL, CONDUCTIVE BARRIER FILM FORMING METHOD, WIRING FILM FORMING METHOD, AS WELL AS ULSI例文帳に追加

導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにＵＬＳＩ - 特許庁

MATERIAL AND METHOD FOR DEPOSITING CONDUCTIVE BARRIER FILM, WIRED FILM DEPOSITING METHOD, AND ULSI例文帳に追加

導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにＵＬＳＩ - 特許庁

To prevent a deterioration of a metal and a metal oxide of a gate electrode or a gate insulating film due to a high temperature process, in manufacturing a field effect transistor (Schottky barrier MOSFET) utilizing a Schottky tunnel junction useful for an ULSI.例文帳に追加

ULSIに有用なショットキー・トンネル接合を利用した電界効果型トランジスタ（ショットキー障壁型MOS FET ）の製造において、ゲート電極やゲート絶縁膜の金属及び金属酸化物が高温プロセスにより劣化するのを防止する。 - 特許庁

ELECTRICALLY CONDUCTIVE Ta FILM FORMING MATERIAL, FORMATION OF ELECTRICALLY CONDUCTIVE Ta FILM, FORMATION OF WIRING FILM AND ULSI例文帳に追加

導電性Ｔａ系膜形成材料、導電性Ｔａ系膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにＵＬＳＩ - 特許庁

To provide a method for forming a conductive Ta-based thin film as a barrier film for copper wiring coping with the tendency of fining ULSI (ultra-large scale integrated circuit).例文帳に追加

ＵＬＳＩの微細化に伴って、銅配線用バリア膜として、薄い導電性Ｔａ系膜形成方法を提供する。 - 特許庁

A multi-clock design style is necessary for integrated circuits(IC) with a high degree of integration such as a very large-scale integration or an ultra large-scale integration (VLSI or ULSI) used for a complicated ASIC (application specific integrated circuit), an SOC(systems on a chip) in a number of cases on grounds of functions and/or performance.例文帳に追加

高い集積度を持つ集積回路（IC）、例えば、複雑なASIC（Application Specific Integrated Circuits：特定用途集積回路）あるいはSOC（Systems on a Chip）に対して用いられる大規模あるいは超大規模集積回路（VLSIあるいはULSI）は、多くの場合、機能および／あるいは性能上の理由からマルチクロック設計スタイルを必要とする。 - 特許庁

To obtain a highly integrated high-performance element by simplifying the manufacturing process of the element, using an ultra thin hafnium oxide (HfO_2) or ZrO_2 film formed in sol-gel method for the gate insulating film of a transistor which serves as a base in the element and improving the characteristics of the insulating film.例文帳に追加

高集積化が著しいシリコン（Si）素子（ULSI）において、ベースとなるトランジスタのゲート絶縁膜にゾルゲル法で作製した酸化ハフニウム（HfO_2）やZrO_2超薄膜を使用し、製造プロセスを簡略化し、かつ絶縁膜特性の向上により、高性能の高集積化素子（ULSI）を実現する。 - 特許庁