Tr1 Cellとは意味・読み方・使い方

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意味・対訳 T regulatory cellや制御性Tリンパ球の同義語(異表記)

Weblio英和対訳辞書での「Tr1 Cell」の意味

Tr1 Cell

Tr1 Cellは、T regulatory cellや制御性 Tリンパ球の同義語(異表記)です。

T regulatory cellや制御性 Tリンパ球の項目を見るには、下記のリンクをクリックしてください。
>>「T regulatory cell」の意味を調べる
>>「制御性Tリンパ球」の英訳を調べる

なお、T regulatory cellや制御性 Tリンパ球以外の Tr1 Cellの同義語としては、下記のような項目があります。

T regulatory cells、Treg、Treg cell、Treg cells、regulatory T cells、regulatory T lymphocytes、regulatory T-cell、regulatory T-lymphocyte
制御性T細胞、調節性T細胞

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

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「Tr1 Cell」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12件

例文

The magnetic memory cell is used as equipped with transistors TR1, TR2 and a magnetic resistance element group 2.例文帳に追加

トランジスタＴＲ１、ＴＲ２と磁気抵抗素子群２とを具備する磁気メモリセルを用いる。 - 特許庁

To a source of this PMOS transistor TR1, a memory cell MC is connected for supplying a boosted voltage VDDR for a leading operation.例文帳に追加

このＰＭＯＳトランジスタＴＲ１のソースには、リード動作用の昇圧電圧ＶＤＤＲが供給されるメモリセルＭＣが接続されている。 - 特許庁

The respective memory cells constituting a memory cell array is provided with MISFETs (Semiconductor Metal Semiconductor Field-Effect Transistors) Tr1 and MISFETs Tr2 having a common floating body 30.例文帳に追加

メモリセルアレイを構成する各メモリセルは、フローティングボディ３０を共通にするＭＩＳＦＥＴＴｒ１とＭＩＳＦＥＴＴｒ２とを備えている。 - 特許庁

The transistor Tr1 inputs the voltage signal of each unit cell of an imaging part 1 to the gate via the capacitive element C1 and outputs an amplification signal from its source.例文帳に追加

トランジスタＴｒ１は、容量素子Ｃ１を介して撮像部１の各単位セルの電圧信号をゲートに入力し、増幅信号をソースから出力する。 - 特許庁

When the transistor Tr2 is on, a PNP transistor Tr1 is turned on to supply a charging current to a capacitor type secondary cell 3, while when the transistor Tr2 is off, the transistor Tr1 is turned off to shut off the charging current.例文帳に追加

また、ＰＮＰトランジスタＴｒ１は、上記ＮＰＮトランジスタＴｒ２がオン状態のとき、オン状態となってコンデンサ型二次電池３に充電電流を供給し、上記ＮＰＮトランジスタＴｒ２がオフ状態のとき、オフ状態となって充電電流を遮断する。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a semiconductor layer 13 formed on an insulating film 12, and a memory cell array having a plurality of memory cells 10 in which first and second transistors Tr1, Tr2 formed in the semiconductor layer are connected in series, formed and disposed in a matrix state connected to a bit line BL in which one side of the cell is connected and a reference potential is imparted to other side.例文帳に追加

絶縁膜１２上に形成された半導体層１３と、半導体層内に形成された第１および第２のトランジスタTr1，Tr2が直列接続されたメモリセル１０が複数個マトリックス状に配置形成され、前記メモリセルの一方側が接続されたビット線ＢＬに接続され、他方側に基準電位を与えられたメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

例文

A memory cell 80 has a 3T1J type three-dimensional structure in which memory transistors TR1 to TR3 and a TMR element TMR1 are provided in an element formation region 100 in a square-pole shape.例文帳に追加

メモリセル８０は、四角柱形状の素子形成領域１００にメモリトランジスタＴＲ１乃至３とＴＭＲ素子ＴＭＲ１が設けられた３Ｔ１Ｊ型の３次元構造のメモリセルである。 - 特許庁

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「Tr1 Cell」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12件

例文

The density of an n-type impurity in a gate electrode GE2 of the memory cell n-type transistor Tr2 is lower than that of an n-type impurity in a gate electrode GE1 of the controlling n-type transistor Tr1.例文帳に追加

メモリセル用ｎ型トランジスタＴｒ２のゲート電極ＧＥ２におけるｎ型不純物の濃度は、制御用ｎ型トランジスタＴｒ１のゲート電極ＧＥ１におけるｎ型不純物の濃度よりも低い。 - 特許庁

Transistors Tr1, Tr2 with their respective channels in series are connected to a pair of transistors Tr5, Tr6 corresponding to switching cells in a Gilbert cell type mixer to constitute current paths 10-1, 10-2 in parallel.例文帳に追加

ギルバートセル型ミキサでのスイッチングセルに相当するトランジスタ対Ｔｒ５，Ｔｒ６にそれぞれチャネルを直列にしてトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を接続して並列な電流路１０−１，１０−２を構成する。 - 特許庁

This controller accumulates the thermoelectromotive force generated by a thermoelectric power generating means 16 in a storage battery 22, and also a microcomputer 25 outputs signals of open from an output port OUT so as to turn on an FET and a transistor Tr1, whereby it forms a charge path and charges a storage battery 22 from a dry cell 23.例文帳に追加

熱発電素子１６の発生した熱起電力を蓄電池２２に蓄電させ、また、マイコン２５は、出力ポートＯＵＴからオープン出力しＦＥＴをオンしトランジスタＴｒ１をオンし、充電路を形成して乾電池２３から蓄電池２２へ充電する。 - 特許庁

In one set of memory cell M, first and second switching elements Tr1, Tr2 are arranged respectively at both sides of a capacitor contact 111 connected to a capacitor for accumulating data in an active region 102 so as to pinch the capacity contact 111 while first and second bit line contacts are arranged at the outside of both switching elements.例文帳に追加

１つのメモリセルＭは、活性領域１０２内においてデータ蓄積用の容量に接続されるキャパシタコンタクト１１１を挟んで、その両側にそれぞれ第１及び第２のスイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ２が配設され、その両外側に第１及び第２のビット線コンタクト１２１，１２２が配設される。 - 特許庁

例文

Vertical cell transfer transistors Tr1, Tr2 and Tr3 having a channel region consisting of a single crystal silicon layer 18 formed by epitaxial growth, a source-drain region consisting of n-type diffusion regions 14 and 23 formed in upper and lower parts of the single crystal silicon layer 18 and an embedded gate electrode consisting of work line 21 are formed.例文帳に追加

エピタキシャル成長により形成された単結晶シリコン層１８からなるチャネル領域と、単結晶シリコン層１８の上部と下部に形成されたｎ型拡散領域１４、２３からなるソース・ドレイン領域と、ワード線２１からなる埋め込み型のゲート電極とを有する縦型セルトランスファトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３が形成される。 - 特許庁

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