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日英固有名詞辞典での「Tisi」の意味

Tisi

日本人苗字

知志；喜瀬

Tisi

日本人名前

地至；知士；知視；千嗣；千司；治志；致之；智資；智史；稚四

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「Tisi」を含む例文一覧

該当件数 : 12件

例文

A chemical compound film 8 is composed of ErSi, PtSi and TiSi or NiSi films, for example, and a chemical compound film 9 is composed of NiSi and CoSi or TiSi films, for example.例文帳に追加

化合物膜８は、例えばＥｒＳｉ、ＰｔＳｉ、ＴｉＳｉ又はＮｉＳｉ膜等からなり、化合物膜９は、例えばＮｉＳｉ膜、ＣｏＳｉ膜又はＴｉＳｉ膜等からなる。 - 特許庁

The wirings 114 and 126 each consist of a TiSi layer with about 2 μm thickness, for example.例文帳に追加

配線１１４と配線１２４は共に例えば厚さ約２μｍのＴｉＳｉ層から成る。 - 特許庁

A TiSi layer 8 is formed on the gate electrode and the surface of both the impurity layers through sputtering-heat-treatment of Ti.例文帳に追加

次にＴｉをスパッタ熱処理しゲート電極と両不純物層表面にＴｉＳｉ層８を形成する。 - 特許庁

A TiSiN(titanium silicide nitride) film or a laminated film of TiSiN film and TiSi film is used as a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクにＴｉＳｉＮ（珪化窒化チタン）膜またはＴｉＳｉＮ膜とＴｉＳｉ膜との積層膜を用いる。 - 特許庁

In a process (b), after forming a TiSi film 5 on the surfaces of the diffusion layer 3 and the gate electrode 4, an oxide film 6 is formed over the whole of the surfaces of the TiSi film 5 and the insulation film 2 to expose to the external the surface of the gate electrode 4 by polishing the oxide film 6.例文帳に追加

工程（ｂ）で、拡散層３及びゲート電極４の表面にＴｉＳｉ膜を形成し、該表面全体に酸化膜６を形成し、酸化膜６を研磨してゲート電極４の表面を露出させる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which deterioration of the device can be suppressed by suppressing side etching of a TiSi layer.例文帳に追加

ＴｉＳｉ層のサイドエッチングを抑制し、デバイス劣化を抑えることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

例文

The top surface of the W plug 20 is coated with the laminated film comprising an SiC film 21 and a TiC/TiSi layer 26 whose thickness is not larger than about ten-odd nano-meters.例文帳に追加

ＳｉＣ膜２１とＴｉＣ／ＴｉＳｉ層２６とからなる十数ｎｍ程度以下の積層膜で、Ｗプラグ２０の上面を覆う。 - 特許庁

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「Tisi」を含む例文一覧

該当件数 : 12件

例文

A Ti film 70 is formed on the whole surface in a state that a TiSi-2/Poly-Si polycide gate 40 is formed on a substrate 10 via a gate insulating film, a hard mask 51 is formed on the gate 40 and spacers 60 are respectively formed on the sidewalls of the gate 40.例文帳に追加

ＴｉＳｉ2／Ｐｏｌｙ−Ｓｉのポリサイドゲート40、ポリサイドゲート40の上にハードマスク51、ポリサイドゲート40の側壁にスペーサ60が形成された状態で、全面にＴｉ膜70を形成する。 - 特許庁

A TiSi seed layer (25 nm), CrMo base layer (25 nm), CoNiCrTa magnetic layer (20 nm) and C protective layer (10 nm) are successively formed by sputtering on the surface of a glass substrate where minute recesses and projections are formed.例文帳に追加

微小凹凸が形成されたガラス基板の表面に、スパッタリングによって順次、ＴiＳiシード層（２５ｎｍ）、ＣrＭo下地層（２５ｎｍ）、ＣoＮiＣrＴa磁性層（２０ｎｍ）、Ｃ保護層（１０ｎｍ）を形成した。 - 特許庁

In the write-once optical recording medium having the inorganic recording film, the inorganic recording film comprises: an oxide film 3 the main component of which is germanium (Ge) oxide GeO; and a metallic film 2 which is adjacent to the oxide film 3 and the main component of which is titanium-silicon alloy TiSi.例文帳に追加

本発明は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、無機記録膜が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物ＧｅＯを主成分とする酸化物膜３と、この酸化物膜３に隣接するチタン・シリコン合金ＴｉＳｉを主成分とする金属膜２とを有する構成とする。 - 特許庁

The coating film has respectively one or more layers of a first film composed of one kind of compound selected from nitride of TiSi, carbide, carbonitride, oxynitride and carboxynitride, and a second film composed of one kind of compound selected from nitride, carbide, carbonitride, oxynitride and carboxynitride of one kind of metal M selected from Ti, Cr and a TiCr alloy.例文帳に追加

被覆膜は、ＴｉＳｉの窒化物、炭化物、炭窒化物、酸窒化物及び炭酸窒化物から選択された１種の化合物からなる第一の膜と、Ｔｉ、Ｃｒ及びＴｉＣｒ合金から選択された１種の金属Ｍの窒化物、炭化物、炭窒化物、酸窒化物及び炭酸窒化物から選択された１種の化合物からなる第二の膜とをそれぞれ１層以上具える。 - 特許庁

例文

被覆膜は、ＴｉＳｉの窒化物、炭化物、炭窒化物、酸窒化物及び炭酸窒化物から選択された１種の化合物からなる第一の膜と、Ｚｒ、Ｈｆ及びＺｒＨｆから選択された１種の金属Ｍの窒化物、炭化物、炭窒化物、酸窒化物及び炭酸窒化物から選択された１種の化合物からなる第二の膜とをそれぞれ１層以上具える。 - 特許庁

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