Taper Etchingとは 意味・読み方・使い方

The end of the polysilicon island 3I is etched so that it becomes a taper shape with a condition of isotropic etching.例文帳に追加

このとき、ポリシリコン・アイランド３Ｉの端部がテーパー形状となるように等方性エッチングの条件でエッチングを行う。 - 特許庁

Then, by adjusting the content of the etching suppressing element or the etching accelerating element, the taper angle of a sidewall in a recessed and projected shape formed on the base material 1 is controlled.例文帳に追加

そして、エッチング抑制元素又はエッチング促進元素の含有量を調整することにより、基材１に形成される凹凸形状の側壁のテーパ角を制御する。 - 特許庁

Since the etching liquid composition does not contain hydrogen peroxide, the stability and the process margin can be secured, and superior taper etching profile can be obtained.例文帳に追加

本発明のエッチング液組成物は過酸化水素を含有しないので安定性と工程上マージンを確保することができ、優れたテーパエッチングプロファイルを得ることができる。 - 特許庁

The process for forming the groove 12a in the non-magnetic layer includes a process for executing taper etching to the non-magnetic layer by reactive ion etching which uses an etching gas including at least BCl_3 and N_2 out of BCl_3, Cl_2, and N_2.例文帳に追加

非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁

The step of forming the groove 12a in the nonmagnetic layer includes the step of taper-etching the nonmagnetic layer by reactive ion etching with an etching gas containing at least BCl_3 and N_2 among BCl_3, Cl_2 and N_2.例文帳に追加

非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To make the cross section of a recessed part formed on an organic film perpendicular or taper in the method of etching the organic film.例文帳に追加

有機膜のエッチング方法において、有機膜に形成される凹部の断面を垂直形状又は順テーパ形状にする。 - 特許庁

The active waveguide has an asymmetrical taper formed by diagonal etching across an active layer during fabrication.例文帳に追加

能動導波管は、製作中に能動層を横切る対角線方向のエッチングにより形成される非対称テイパを持っている。 - 特許庁

Thereafter, the residual half of the HTO film 109 is subjected to wet etching for seven minutes and 40 seconds using a BHF 63U kept at 23°C to have a taper angle of 26° in a second etching process.例文帳に追加

その後、残り半分のＨＴＯ膜１０９を、テーパー角度が２６°となる２３℃のＢＨＦ６３Ｕで７分４０秒ウエットエッチングする第２のエッチング工程を実施する。 - 特許庁