THIN FILM TRANSISTORSとは 意味・読み方・使い方

The thin film transistors may be flattened by coating them with an organic resin film thereon.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、その上を有機樹脂膜で覆って平坦化しても良い。 - 特許庁

In the liquid crystal display, thin film transistors are formed in pixels, a flatness imparting film is provided as an insulating film on the thin film transistors and display is performed in an OCB (Optically Compensated Bend) mode.例文帳に追加

本発明によると、画素に薄膜トランジスタが設け、前記薄膜トランジスタ上の絶縁膜には、平坦性を付与する膜が設け、ＯＣＢモードで表示を行う構成とする。 - 特許庁

A wiring part 17 is laminated on the gate electrode 16 of the thin film transistors 4, 5.例文帳に追加

薄膜トランジスタ４,５のゲート電極16上に配線部17を積層した。 - 特許庁

To provide an A/D conversion circuit suitable for poly-silicon thin film transistors.例文帳に追加

ポリシリコン薄膜トランジスターにふさわしいＡ／Ｄ変換回路を提供する。 - 特許庁

The light emitting pixels formed by stacking light emitting elements and thin film transistors and the light receiving elements formed by stacking photoelectric converting elements and thin film transistors are arranged in a plane.例文帳に追加

発光素子と薄膜トランジスタとを積層した発光画素と、光電変換素子と薄膜トランジスタとを積層した受光画素とを、平面状に配置する。 - 特許庁

The array substrate 12 includes a plurality of pixel electrodes 29 that are driven by the thin film transistors 24 at a position of the insulation layer 21 that is opposite to the thin film transistors 24.例文帳に追加

アレイ基板12は、絶縁層21に対して各薄膜トランジスタ24と反対側の位置に、各薄膜トランジスタ24により駆動する複数の画素電極29を備える。 - 特許庁

To provide a technique for forming a desired thin film without inviting a characteristic abnormality to thin film transistors when forming a thin film by an electron beam deposition method on a substrate where the thin film transistors are formed.例文帳に追加

薄膜トランジスタが作り込まれた基体上に、電子ビーム蒸着法で薄膜を形成する際に、薄膜トランジスタの特性異常を招くことなく所望の薄膜を形成するための技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

Since no impurities are present in the di-electric layer of the auxiliary capacitance semiconductor layer 37, deterioration in the characteristics of thin film transistors 23 for pixels, thin film transistors 25 for a p-type driving circuit, and thin film transistors 26 for an N-type driving circuit does not occur.例文帳に追加

補助容量半導体層37の誘電体層には不純物が存在しないため、画素用薄膜トランジスタ23、Ｐ型駆動回路用薄膜トランジスタ25およびＮ型駆動回路用薄膜トランジスタ26の特性劣化を発生させない。 - 特許庁