T attenuatorとは 意味・読み方・使い方

A 1st attenuator 1t is a π or T type resistor attenuator not being a temperature variable attenuator and a π type temperature variable attenuator is adopted for a 2nd attenuator 2t connected in cascade with the 1st attenuator 1t as the post-stage of the attenuator 1t.例文帳に追加

第１の減衰器１ｔがπ形又はＴ形の温度可変形でない抵抗減衰器であり、第１の減衰器１ｔの後段として第１の減衰器１ｔに縦続接続された第２の減衰器２ｔがπ形の温度可変形減衰器である。 - 特許庁

The line 106 is provided with a T type attenuator 150, and a secondary distortion generator 200 and a tertiary distortion generator 300 which serve as the higher harmonic distortion generators are placed in series to a ground branch of the attenuator 150.例文帳に追加

分岐線路１０６には、Ｔ型減衰器１５０を設け、そのアース分岐に高調波歪み発生器である２次歪み発生器２００と３次歪み発生器３００を直列に備える。 - 特許庁

Further, simultaneously an attenuator of the coaxial cable system is removed and termination resistors r_a, r_b are provided on the terminal T at the disconnected upper-stream side.例文帳に追加

又、同時に、同軸ケーブル系の減衰器を取り外し、切り離された上流側の端子Ｔに終端抵抗ｒ_a 、ｒ__b を備える。 - 特許庁

Furthermore, at the same time, an attenuator of the coaxial cable system is demounted, and termination resistors r_a, r_b are provided in the disconnected upstream-side terminal T.例文帳に追加

又、同時に、同軸ケーブル系の減衰器を取り外し、切り離された上流側の端子Ｔに終端抵抗ｒ_a 、ｒ_b を備える。 - 特許庁

The method for examining rheumatoid arthritis comprises identifying a single nucleotide polymorphism of 590 base of human B and T Lymphocyte Attenuator (hereinafter BTLA).例文帳に追加

ヒトＢ ａｎｄ Ｔ Ｌｙｍｐｈｏｃｙｔｅ Ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ（以下「ＢＴＬＡ」という）遺伝子の５９０番塩基の一塩基多型を同定することを特徴とする関節リウマチの検査方法とする。 - 特許庁

Since this attenuator operates as a "resistor" or a "capacitor" by turning the transistors "on" or "off", it is possible to obtain the attenuation amount of a desired passing loss by combining ons and offs of the respective transistors (T).例文帳に追加

トランジスタを“オン”または“オフ”状態とすることによって“抵抗”もしくは“容量”として作用するため、各トランジスタ(Ｔ)のオン、オフ状態の組合せによって、所望の通過損失の減衰量が得られる。 - 特許庁

In the case of manufacturing a thick film circuit substrate for T-type attenuator, an SiO_2 film is formed first in the thickness of about 0.001μm to about 1.0 μm on a aluminum nitride (AlN) substrate with the sputtering method by controlling the film forming time (S1).例文帳に追加

Ｔ型アッテネータ用厚膜回路基板を製造する場合、まず窒化アルミニウム（AlN）基板にスパッタ法により成膜時間を制御して略0.001μm乃至略1.0μmのSiO_２膜を形成する（Ｓ１）。 - 特許庁